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MOS场效应管的英语缩写是（）。

  • A、“IGBT”
  • B、“BJT”
  • C、“GTO”
  • D、“MOSFET”

参考答案

更多 “MOS场效应管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”” 相关考题
考题 SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
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考题 IGBT有哪些缺点?( )A、开关速度不及电力MOSFETB、开关速度比电力MOSFET快C、电压、电流容量不及GTOD、电压、电流容量比GTO大
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考题 IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO
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考题 IGBT是ー个复合型的器件,它是()。 A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0
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考题 可关断晶闸管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
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考题 IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式
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考题 功率开关器件可以说是开关电源的心脏，下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的（）。A、MOSFET功率场效应管B、IGBT绝缘栅双极晶体管C、GTR晶闸管D、BJT双极型晶体管
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考题 已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等
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考题 场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
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考题 IGBT的主体部分与GTR类似，控制部分与场效应管类似，下面属于IGBT具有的优点的有（）A、电磁噪音很小B、电流波形大为改善，电机的转矩增大C、IGBT管二次击穿现象小D、最大管子容量比GTO管大的多
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考题 说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
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考题 绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
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考题 在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
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考题 IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
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考题 双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。
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考题 试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
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考题 简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
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考题 在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。
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考题 填空题在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
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考题 单选题可关断晶闸管的英语缩写是（）。A “IGBT”B “BJT”C “GTO”D “MOSFET”
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考题 问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
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考题 单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。A GTO和GTR；B TRIAC和IGBT；C MOSFET和IGBT；D SCR和MOSFET；
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考题 问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
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考题 单选题绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。A “IGBT”B “BJT”C “GTO”D “MOSFET”
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考题 问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
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考题 单选题MOS场效应管的英语缩写是（）。A “IGBT”B “BJT”C “GTO”D “MOSFET”
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