考题
二极管的击穿分两种,分别是()。
A、正向击穿B、反向击穿C、雪崩击穿D、齐纳击穿
考题
用万用表R×100挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。
A、两个PN结都被烧坏B、发射极被击穿C、集电极被击穿D、两个PN结都被击穿
考题
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
考题
二极管的击穿分两种,一种是()击穿,另一种为()击穿。A.雪崩、齐纳B.虚、实C.电压、电流D.PN、NP
考题
二极管因所加过高反向电压而击穿、烧毁的现象称为()。
A、齐纳击穿B、雪崩击穿C、热击穿
考题
硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
二极管的击穿分两种，一种是（）击穿，另一种为（）击穿。A、雪崩、齐纳B、虚、实C、电压、电流D、PN、NP
考题
稳压管是利用（）特性来实现稳压功能的。A、PN结的单向导电B、PN结的反向击穿C、PN结的正向导通D、结电容使波形平滑
考题
如果PN结的反向电流急剧增加，称为（）A、反向导通B、反向截止C、反向击穿D、反向饱和
考题
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
考题
稳压管的稳压性能是利用PN结的（）。A、单向导电特性B、反向截止特性C、反向击穿特性
考题
二极管的齐纳击穿会烧坏PN结，而雪崩击穿不会烧坏PN结。
考题
硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿。（）
考题
PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
考题
PN结的伏安特性方程可以描述其正向特性和反向特性，也可以描述其击穿特性。
考题
PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
考题
构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
考题
齐纳击穿时的击穿电压约（）V，当反向击穿电压（）时，为雪崩击穿。齐纳击穿具有电压温度系数，而雪崩击穿具有（）电压温度系数。
考题
当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时，主要发生何种击穿（）A、雪崩击穿B、齐纳击穿C、热击穿D、碰撞击穿
考题
半导体稳压管的稳压作用是利用（）A、PN结单向导电性实现的B、PN结的反向击穿特性实现的C、PN结的正向导通特性实现的D、PN结的反向截止特性实现的
考题
用万用表R×100Ω档测量一只晶体管各极之间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（）。A、PN结被击穿B、PN结开路C、只有发射极击穿D、只有集电极击穿
考题
填空题PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。
考题
问答题什么是PN结的击穿现象，击穿有哪两种。击穿是否意味着PN结坏了？为什么？
考题
填空题根据不同的击穿机理，PN结击穿主要分为（）和隧道击穿这两种电击穿。
