考题
用万用表尺×100Q挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。
A、两个PN结都被烧坏B、发射极被击穿C、集电极被击穿D、两个PN结都被击穿
考题
用万用表R×100挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。
A、两个PN结都被烧坏B、发射极被击穿C、集电极被击穿D、两个PN结都被击穿
考题
PN结的主要特性是()。A.单向导电性、电容效应B.电容效应、击穿特性C.单向导电性、击穿特性D.单向导电性、电容效应、击穿特性
考题
关于液体介质的击穿击穿机理的理论主要哪两种?
考题
固体电介质的击穿大致可分为()击穿、()击穿和()击穿三种形式。
考题
绝缘材料的击穿包括（）。A、电击穿、化学击穿、老化击穿B、电击穿、热击穿、电化学击穿C、热击穿、局部击穿、湿击穿D、热击穿、化学击穿、老化击穿
考题
用万用表测得三极管的任意二极间的电阻均很小，说明该管（）。A、两个PN结均击穿B、两个PN结均开路C、发射结击穿，集电结正常D、发射结正常，集电结击穿
考题
绝缘工具由于电介质的化学变化使耐电强度丧失的击穿过程，称为（）。A、电击穿；B、热击穿；C、化学击穿；D、电化学击穿。
考题
绝缘工具由电介质的化学变化使耐电强度完全丧失的击穿过程，称为（）。A、电化学击穿B、热击穿C、电击穿D、湿击穿
考题
PN结的主要特性是（）。A、单向导电性、电容效应B、电容效应、击穿特性C、单向导电性、击穿特性D、单向导电性、电容效应、击穿特性
考题
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
考题
二极管的齐纳击穿会烧坏PN结，而雪崩击穿不会烧坏PN结。
考题
硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿。（）
考题
PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
考题
稳压二极管根据击穿机理可以分为（）击穿和（）击穿。
考题
用万用表R×100Ω档测量一只晶体管各极之间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（）。A、PN结被击穿B、PN结开路C、只有发射极击穿D、只有集电极击穿
考题
纯净液体电介质与含杂质的工程液体电介质的击穿机理不同。对前者主要有电击穿理论和气泡击穿理论，对后者有气体桥击穿理论。（）
考题
填空题PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。
考题
单选题绝缘材料的击穿包括（）。A
电击穿、化学击穿、老化击穿B
电击穿、热击穿、电化学击穿C
热击穿、局部击穿、湿击穿D
热击穿、化学击穿、老化击穿
考题
填空题PN结的击穿有三种机理，它们分别是（）、（）和（）。
考题
问答题什么是PN结的击穿现象，击穿有哪两种。击穿是否意味着PN结坏了？为什么？