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名词解释题
雪崩击穿

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考题 二极管的击穿分两种,分别是()。 A、正向击穿B、反向击穿C、雪崩击穿D、齐纳击穿
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考题 雪崩体能使每平方米的被打物体表面承受40~50吨的力量，冲击力量非常惊人，雪崩体在高速运动过程中，还能够引起空气剧烈的振荡，在雪崩龙头前方造成类似于原子弹爆炸时的冲击波的强大气浪。在陡岩或河谷急转弯的地方，雪崩体很可能被阻停留下来。而雪崩气浪却会继续沿着雪崩运动的方向爬山越岭，摧毁森林、房屋，倾覆车辆，人畜遇到它可能窒息而死。从这段文字可以推出：A、 雪崩体的巨大冲击力更甚于原子弹爆炸B、 雪崩的威力一般只能达到陡岩或者河谷急转变的地方C、 雪崩体对登山队员的主要威胁在于缺氧D、 雪崩气浪的作用范围要比雪崩体大得多
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考题 二极管的击穿分两种,一种是()击穿,另一种为()击穿。A.雪崩、齐纳B.虚、实C.电压、电流D.PN、NP
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考题 二极管因所加过高反向电压而击穿、烧毁的现象称为()。 A、齐纳击穿B、雪崩击穿C、热击穿
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考题 由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。A、擎住效应B、二次击穿C、雪崩击穿D、电导调制效应
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考题 负载为大电感负载,单相桥式半控整流桥如不加续流二极管,在电路中出现触发脉冲丢失或者触发脉冲的延迟角α增大到180°时电路会出现()现象。A雪崩击穿B、二次击穿C、失控D、以上都不是
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考题 PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. G PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. GC. G=1D. G=0
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考题 当半导体二极管的反向击穿电压大于6V,主要发生何种击穿现象?() A.雪崩击穿B.齐纳击穿C.热击穿D.碰撞击穿
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考题 雪崩击穿
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考题 雪崩效应
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考题 雪崩击穿二极管（ABD管）反向偏置时，有哪几种工作模式？（）A、待机B、钳制C、击穿D、短路
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考题 在伏安特性曲线上，在规定的脉冲直流电流IT（或IBR）或接近发生雪崩的电流条件下，雪崩击穿二极管（ABD管）两端测得的电压称之为（）。A、限制电压B、最大工作电压C、击穿电压D、残压
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考题 二极管的击穿分两种，一种是（）击穿，另一种为（）击穿。A、雪崩、齐纳B、虚、实C、电压、电流D、PN、NP
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考题 简述雪崩和本征电击穿的区别。
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考题 简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应
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考题 二极管的齐纳击穿会烧坏PN结，而雪崩击穿不会烧坏PN结。
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考题 齐纳击穿时的击穿电压约（）V，当反向击穿电压（）时，为雪崩击穿。齐纳击穿具有电压温度系数，而雪崩击穿具有（）电压温度系数。
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考题 当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时，主要发生何种击穿（）A、雪崩击穿B、齐纳击穿C、热击穿D、碰撞击穿
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考题 PN结的反向击穿有雪崩和（）两种击穿。
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考题 当单阀内仅剩余1个冗余晶闸管时，或者短时内发生多个晶闸管连续损坏时，应及时申请（），避免发生雪崩击穿导致整阀损坏。
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考题 填空题PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。
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考题 单选题APD光电二极管出现雪崩击穿是因为（ ）。A 载流子在耗尽区的漂移时间过长B 将光信号转换为电信号的效率太低C 其所加的反向偏置电压过大D 其注入的非平衡载流子扩散过快
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考题 填空题PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。
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考题 问答题简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应
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考题 判断题齐纳二极管是利用二极管的雪崩击穿机理。A 对B 错
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考题 多选题雪崩击穿二极管（ABD管）反向偏置时，有哪几种工作模式？（）A待机B钳制C击穿D短路
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考题 判断题雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。A 对B 错
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