PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. G PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. GC. G=1D. G=0

题目内容（请给出正确答案）

PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. G<1C. G=1D. G=0

PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()

A. G>1

B. G<1

C. G=1

D. G=0

参考答案

考题简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应。

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考题雪崩光电二极管的倍增因子定义为() 。

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考题雪崩光电二极管噪声主要来源于倍增噪声。A对B错

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考题雪崩光电二极管特性中的量子效率只与初级光生载流子数目有关，不涉及倍增问题，故量子效率值总是（）。A．大于1B．略大于1C．等于1D．小于1

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考题随着PN结反向电压的增加，载流子在势垒区积累的能量增加，会发生雪崩倍增效应，当（）时，雪崩倍增因子趋于无穷大，发生雪崩击穿。A．碰撞电离率小于1B．碰撞电离率等于1C．碰撞电离率积分等于1D．碰撞电离率积分小于1

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考题简述雪崩光电二极管APD的雪崩倍增效应。

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考题外光电效应（光电倍增管）是入射光能量大，能将光敏材料的的内部电子全部激发出来。典型器件（）。A．LEDB．LDC．PIN光电二极管D．APD雪崩光电二极管

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考题雪崩光电二极管APD是通过碰撞电离获得内部增益，使得光电流实现雪崩倍增的高灵敏度光检测器。

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考题雪崩光电二极管特性中的量子效率只与初级光生载流子数目有关，不涉及倍增问题，故量子效率值总是（）。A．小于1B．等于1C．大于1D．大于或等于1

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