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粒子束注入，离子掺杂可以对材料进行改性

参考答案和解析
A
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考题 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
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考题 离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。
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考题 离子注入后为什么要进行退火？
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考题 当管顶以上覆土厚度小于（）时，应对回填材料进行改性，或对管道进行加固。
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考题 辐射加工技术一般包含哪些（）。A、辐射交联B、离子束注入C、离子掺杂D、辐照育种
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考题 （）是一种利用高能粒子束来杀伤或破坏目标的定向能武器。A、温压弹B、超空泡武器C、粒子束武器D、等离子体武器
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考题 （）可通过离子注入进行表面改性。A、金属材料、高分子材料和陶瓷材料B、仅金属材料C、仅高分子材料D、仅陶瓷材料
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考题 粒子束武器，是指利用接近光速的电子、质子、原子、离子等高能粒子流毁伤目标的武器。
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考题 金属材料注入离子使其表层台金化．从而可（）。A、降低硬度B、降低耐磨性C、降低耐腐蚀性D、提高耐腐蚀性
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考题 激光束、离子束、电子束均可对工件表面进行改性。
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考题 填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用（），N型掺杂的源气常用（）和（）。对GaAs做N型掺杂的源气常用（）
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考题 填空题晶体管的注入效率是指（）电流与（）电流之比。为了提高注入效率，应当使（）区掺杂浓度远大于（）区掺杂浓度。
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考题 判断题离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。A 对B 错
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考题 判断题离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。A 对B 错
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考题 判断题离子束加工是利用离子束对材料进行成型或改性的加工方法。A 对B 错
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考题 问答题离子注入后为什么要进行退火？
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考题 单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A 刻蚀B 离子注入C 光刻D 金属化
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考题 单选题现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）A 扩散B 化学机械抛光C 刻蚀D 离子注入
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考题 填空题能产生激光的固体材料都是由（）和（）两部分组成。实际上掺杂离子就是（）.
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考题 问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
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考题 填空题CMOS工艺中，阱注入的计量为（）量级；源、漏注入的剂量为（）量级；开启调整的注入剂量为（）量级 ；场注入的的剂量为（）量级；离子束合成SOI材料SIMOX的O+注入计量为（）量级。
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考题 填空题金属的离子注入改性目的在于提高金属的（）性能、（）强度和（）性能。
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考题 判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A 对B 错
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考题 判断题离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。A 对B 错
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考题 判断题离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶，靶材料可以是晶体，也可以是非晶体，非晶靶也称为无定形靶。A 对B 错
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考题 问答题离子注入后为什么要进行热退火
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考题 问答题离子注入表面改性
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考题 填空题离子注入掺杂剂量偏差的原因主要来源于：（）、（）和可能的（）。 例如：当作28Si+注入时，可能有真空系统中剩余气体产生的（）也会同时注入。
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