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14、小角晶界中位错密度越大，位向差越大

参考答案和解析
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考题 氯化钙盐水的密度度越大晶点越低,因此盐水的配制密度度越大越好。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 小角度晶界晶粒的位向差是()。 A、>10~15°B、C、15°D、10°
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考题 实际金属中位错密度越大、晶界和亚晶界越多，其强度越高。()
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考题 四分位差是用来评价（）的代表性的。四分位差越大，（）的代表性（）。
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考题 在金属晶体缺陷中，属于面缺陷的有（）。A、间隙原子B、位错，位移C、晶界，亚晶界D、缩孔，缩松
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考题 晶体的线缺陷包括（）。A、空位B、晶界C、亚晶界D、位错
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考题 实际金属中存在有（）、（）、（）缺陷。其中，位错是（）缺陷，晶界是（）缺陷。
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考题 面缺陷包括（）。A、刃型位错B、螺型位错C、晶界D、亚晶界
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考题 多晶体内晶界越多，多晶体的（）越大。
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考题 常见的晶体缺陷不包括（）。A、空位B、位错C、晶界和亚晶界D、晶格
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考题 亚晶界是由（）。A、点缺陷堆积而成B、位错垂直排列成位错墙而构成C、晶界间的相互作用构成
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考题 晶界本身的强度对多晶体的加工硬化贡献不大，而多晶体加工硬化的主要原因来自晶界两侧晶粒的位向差。
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考题 晶界越多，多晶体塑性变形抗力越大
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考题 位错是（）缺陷、晶界是（）缺陷。
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考题 晶粒之间的界面称为（）。A、亚晶界B、晶界C、曲面D、小角度晶界
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考题 晶体中的面缺陷主要是指（）A、空位B、位错C、晶界D、间隙原子E、亚晶界
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考题 判断题小角度晶界的晶界能比大角度晶界的晶界能高。A 对B 错
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考题 问答题晶界有小角度晶界与大角度晶界之分，大角度晶界能用位错的阵列来描述吗？
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考题 单选题在晶体滑移过程中（）A 由于位错不断移出滑移面，位错密度随形变量的增加而减少B 由于位错的增殖，位错密度随形变量的增加而增高C 由于晶界不断吸收位错，位错密度随形变量的增加而减少D 由于位错的消失（移出滑移面）和增殖的共同作用，位错的密度基本不变
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考题 单选题小角度晶界模型中的扭转晶界是由（）组成的。A 刃型位错B 螺旋位错C 混合位错D 位错中心重叠
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考题 多选题晶体中的面缺陷主要是指（）A空位B位错C晶界D间隙原子E亚晶界
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考题 判断题晶界越多，多晶体塑性变形抗力越大A 对B 错
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考题 判断题曲柄摇杆机构中，极位夹角θ越大，机构的行程速比系数K值越大。A 对B 错
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考题 单选题晶体中的线缺陷包括（）A 小角晶界B 空位C 螺位错D 堆垛层错
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考题 单选题小角度晶界模型中的倾转晶界是由（）组成的。A 刃型位错B 螺旋位错C 混合位错D 位错中心重叠
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考题 单选题亚晶界是由（）。A 点缺陷堆积而成B 位错垂直排列成位错墙而构成C 晶界间的相互作用构成
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考题 判断题晶界本身的强度对多晶体的加工硬化贡献不大，而多晶体加工硬化的主要原因来自晶界两侧晶粒的位向差。A 对B 错
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考题 判断题空位、小角晶界、螺位错、堆垛层错都是晶体中的线缺陷。A 对B 错
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