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多晶体内晶界越多，多晶体的（）越大。

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考题 锆石的光性特征为（）。A、非晶质体B、非均质体C、多晶体D、均质体
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考题 当多晶体进行塑性变形时，晶界对塑性变形的阻碍作用被称为（）。A、加工硬化B、竹节现象C、各向异性D、固溶强化
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考题 当多晶体进行塑性变形时，晶界对塑性变形阻碍作用被称为（）。A、加工硬化B、竹节现象C、各向导性D、时效强化
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考题 金属多晶体的塑性变形方式为（）。 A、滑移B、孪晶C、位错D、A或B
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考题 多晶体材料内部的晶粒与晶粒之间的界面称为（）。A、亚结构B、晶界C、晶格D、晶胞
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考题 公司使用的电池片可分为多晶和单晶两种，其中多晶电池片又可分为多晶体单晶面与多晶体多晶面。
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考题 实验证明，多晶体金属不论发生滑移，挛晶还是晶间变形，只有切应力达到临界值时，才有实现的可能。
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考题 多晶体的塑性变形的主要形式可以简述为（）A、仅滑移变形B、晶内滑移变形和晶间的移动和转动C、整体协调变形
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考题 晶界本身的强度对多晶体的加工硬化贡献不大，而多晶体加工硬化的主要原因来自晶界两侧晶粒的位向差。
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考题 晶粒尺寸在1～100nm之间的多晶体材料称为（）。A、细晶材料B、多晶材料C、纳米材料D、新型材料
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考题 晶界越多，多晶体塑性变形抗力越大
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考题 晶界越多，多晶体塑性变形抗力越小
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考题 尖晶石属于（）宝石。A、均质体B、非晶质体C、非均质体D、多晶体
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考题 试用多晶体塑性变形的过程说明细晶强化的机理。
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考题 什么是单晶体．多晶体．晶粒和晶界？
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考题 单选题在多晶体中，晶界是原子（离子）快速扩散的通道，并容易引起杂质原子（离子）偏聚，同时也使晶界处熔点（）晶粒；晶界上原子排列混乱，存在着许多空位、位错和键变形等缺陷，使之处于应力畸变状态。A 低于B 高于C 等于D 不确定
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考题 单选题晶粒尺寸在1～100nm之间的多晶体材料称为（）。A 细晶材料B 多晶材料C 纳米材料D 新型材料
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考题 判断题多晶体的塑性变形受晶界的影响，晶界越多，变形越容易。A 对B 错
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考题 判断题晶界越多，多晶体塑性变形抗力越大A 对B 错
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考题 填空题多晶体内晶界对塑性变形有较大的阻碍作用，这是因为晶界处原子排列比较紊乱，阻碍了（）的移动，所以晶界越多，多晶体的（）越大。
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考题 判断题晶界本身的强度对多晶体的加工硬化贡献不大，而多晶体加工硬化的主要原因来自晶界两侧晶粒的位向差。A 对B 错
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考题 问答题什么是石墨单晶、石墨多晶体和石墨微晶？
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考题 判断题晶界越多，多晶体塑性变形抗力越小A 对B 错
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考题 判断题晶界越多晶粒一定细。A 对B 错
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考题 单选题由于多晶体是（），符合晶体的力学特征，所以它具各异性。A 晶粒B 晶体C 晶界
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考题 问答题试用多晶体塑性变形的过程说明细晶强化的机理。
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