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判断题
晶界本身的强度对多晶体的加工硬化贡献不大，而多晶体加工硬化的主要原因来自晶界两侧晶粒的位向差。
A

对

B

错

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考题 小角度晶界晶粒的位向差是()。 A、>10~15°B、C、15°D、10°
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考题 ()的结果,能够松弛相邻两晶粒间由于不均匀变形所引起的应力集中。 A、加工硬化B、软化C、热塑性作用D、晶界滑动
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考题 金属的腐蚀局限在晶界或晶界附近，而晶粒本身的腐蚀较小的一种腐蚀，叫晶间腐蚀。( )此题为判断题(对，错)。
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考题 当多晶体进行塑性变形时，晶界对塑性变形的阻碍作用被称为（）。A、加工硬化B、竹节现象C、各向异性D、固溶强化
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考题 当多晶体进行塑性变形时，晶界对塑性变形阻碍作用被称为（）。A、加工硬化B、竹节现象C、各向导性D、时效强化
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考题 多晶体内晶界越多，多晶体的（）越大。
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考题 晶界本身的强度对多晶体的加工硬化贡献不大，而多晶体加工硬化的主要原因来自晶界两侧晶粒的位向差。
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考题 加工硬化是由塑性变形时金属内部组织变化引起的，加工硬化后金属组织的变化有（）。A、晶粒沿变形方向伸长；B、滑移面和晶粒间产生碎晶；C、A和B和D；D、晶格扭曲，位错密度增加；
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考题 金属沿着晶界或晶界的邻近区域发生严重腐蚀，而晶粒本身腐蚀轻微时，这种腐蚀称为（）。A、电偶腐蚀B、缝隙腐蚀C、小孔腐蚀D、晶间腐蚀
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考题 晶界越多，多晶体塑性变形抗力越大
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考题 因晶粒细化，造成晶界面积增加，阻碍了位错的运动造成强化称为（）A、固溶强化B、加工硬化强化C、第二相强化D、细晶强化
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考题 晶粒之间的界面称为（）。A、亚晶界B、晶界C、曲面D、小角度晶界
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考题 下列关于晶粒、晶界和亚晶界的说法中错误的是（）A、晶粒越细小，晶界就越多B、晶粒越细小，金属的强度越高C、晶界越多，金属的强度和硬度就越低D、亚晶界越多，强度就越高
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考题 什么是单晶体．多晶体．晶粒和晶界？
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考题 单选题在多晶体中，晶界是原子（离子）快速扩散的通道，并容易引起杂质原子（离子）偏聚，同时也使晶界处熔点（）晶粒；晶界上原子排列混乱，存在着许多空位、位错和键变形等缺陷，使之处于应力畸变状态。A 低于B 高于C 等于D 不确定
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考题 多选题多晶陶瓷破晶界的特点（）A强度比晶粒低得多B沿晶界破坏C晶粒晶界长强度高D起始裂纹长度与晶粒晶界相当
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考题 填空题由于（）效应及（）效应，使多晶体的变形抗力比单晶体大，其中，（）效应是多晶体加工硬化更主要的原因。
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考题 判断题多晶体的塑性变形受晶界的影响，晶界越多，变形越容易。A 对B 错
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考题 判断题晶界越多，多晶体塑性变形抗力越大A 对B 错
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考题 单选题因晶粒细化，造成晶界面积增加，阻碍了位错的运动造成强化称为（）A 固溶强化B 加工硬化强化C 第二相强化D 细晶强化
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考题 填空题多晶体内晶界对塑性变形有较大的阻碍作用，这是因为晶界处原子排列比较紊乱，阻碍了（）的移动，所以晶界越多，多晶体的（）越大。
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考题 单选题晶粒之间的界面称为（）。A 亚晶界B 晶界C 曲面D 小角度晶界
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