考题
可以多次编程的只读存储器是A.PROMB.EPROMC.EEPROMD.掩膜式ROME.EPRAM
考题
《警务实战基础训练教程》中基本防护技术有（）。A、格挡、反击、掩肘、闪躲、搂抱B、反击、掩肘、闪躲、搂抱C、格挡、搂抓、掩肘、闪躲、提膝D、格挡、搂抓、掩肘、闪躲
考题
金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂膜的同时，把胶膜上的金属一起去除干净。（）
考题
“以虚掩实”的辩论技巧，就是指辩论中的以心掩物、以神掩形、以抽象掩具体、以略述掩详述等，使语言含蕴更加丰富、更加深刻，更加有力也更加有效。
考题
在进行空间分析时，经常设置Mask（掩膜），设置掩膜的作用是什么？
考题
掩膜型ROM可简记为（）。A、PROMB、MROMC、EPROMD、EEPROM
考题
89C51采用的内部程序存储器是（）。A、EPROMB、ROMLessC、FlashD、掩膜ROM
考题
按照数据写入方式特点的不同，ROM可分为掩膜ROM，（），（）。
考题
能够用紫外光擦除ROM中程序的只读存储器称为（）。A、掩膜ROMB、PROMC、EPROMD、EEPROM
考题
在生产过程中完成程序写入的只读存储器称为（）。A、掩膜ROMB、PROMC、EPROMD、E2PROM
考题
AT89S51单片机采用的内部程序存储器的类型是（）。A、EPROMB、FlashC、SFRD、掩膜ROM
考题
填空题光化学腐蚀制备掩膜采用（）受到光照射而凝固，不受光的部分仍然为液态，这实质上是将化学加工常规制备掩膜时的（）和（）两道工序合二为一。
考题
判断题光掩膜法成形原理上与光化学加工制备掩膜时原理类似，只是后者制备的掩膜较薄，而非立体零件。A
对B
错
考题
判断题电子束光刻主要用于制作掩膜。A
对B
错
考题
判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A
对B
错
考题
问答题使用什么材料制作投影掩膜板，投影掩膜板上形成图形的不透明材料是什么？
考题
单选题某个PCB中，安全间距过小，加工中哪一工艺步骤最可能失败（）。A
阻焊掩膜B
光绘C
蚀刻D
钻孔
考题
判断题光掩膜法中一次固化是一个截面，而光固化成形是逐点成面，因而光掩膜法成形效率比光固化成形高得多。A
对B
错
考题
判断题光掩膜法中光敏树脂的浪费比光固化成形更低。A
对B
错
考题
问答题掩膜版的对准法则，说明对准误差有哪些？
考题
判断题对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。A
对B
错
