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掩膜型ROM可简记为()。

  • A、PROM
  • B、MROM
  • C、EPROM
  • D、EEPROM

参考答案

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考题 可编程ROM可简记为()。 A、PROMB、MROMC、EPROMD、EEPROM

考题 能够用紫外光擦除ROM中的程序的只读存储器称为()。A.掩膜ROMB.PROMC.EPROMD.EEPROM

考题 用户可以反复存储、删除、读出、写入信息的是()光盘。A、只读型B、可抹型C、一次写入型D、CD-ROM

考题 在进行空间分析时,经常设置Mask(掩膜),设置掩膜的作用是什么?

考题 可编程ROM可简记为()A、PROMB、MROMC、EPROMD、E2PROM

考题 掩膜ROM只读存储器的内容是不可以改写的

考题 掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1,如果对应的某存储单元位没有连接MOS管,则该位信息为()。 A、不确定B、0C、1D、可能为0,也可能为1

考题 EPROM的特点是()。A、一种掩膜式ROM,数据由厂家出厂时写好,用户不能更改B、一种可编程的ROM,可由用户自己编写,但只能编写一次C、一种电可擦除的ROM,用电子的形式擦除数据,用户可编程多次D、一种可擦写的ROM,用紫外线照射擦除,用户可编程多次

考题 CD-ROM指的是()A、CD唱片B、动态ROMC、只读型光盘D、可擦除的ROM

考题 CD-ROM属于()光存储系统。A、一次写型B、可重写型C、只读型D、不可写的

考题 在下列单片机芯片中使用掩膜ROM作为内总程序存储器的是()。A、8031B、80C51C、8032D、87C51

考题 80C51含()掩膜ROM。

考题 89C51采用的内部程序存储器是()。A、EPROMB、ROMLessC、FlashD、掩膜ROM

考题 在下列单片机芯片中使用掩膜ROM作为内部程序存储器的是()A、8031B、80C51C、8032D、87C51

考题 按照数据写入方式特点的不同,ROM可分为掩膜ROM,(),()。

考题 二元掩膜

考题 能够用紫外光擦除ROM中程序的只读存储器称为()。A、掩膜ROMB、PROMC、EPROMD、EEPROM

考题 AT89S51单片机采用的内部程序存储器的类型是()。A、EPROMB、FlashC、SFRD、掩膜ROM

考题 单选题掩膜型ROM可简记为()。A PROMB MROMC EPROMD EEPROM

考题 名词解释题PSM移相掩膜

考题 填空题DSP芯片内部包含存储器类型有片内双访问存储器(DARAM)、片内单访问程序/数据RAM(SARAM)、掩膜型片内ROM存储器、()、一次性可编程存储器(OTP)。

考题 判断题光掩膜法成形原理上与光化学加工制备掩膜时原理类似,只是后者制备的掩膜较薄,而非立体零件。A 对B 错

考题 单选题掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1,如果对应的某存储单元位没有连接MOS管,则该位信息为()。A 不确定B 0C 1D 可能为0,也可能为1

考题 问答题使用什么材料制作投影掩膜板,投影掩膜板上形成图形的不透明材料是什么?

考题 问答题描述投影掩膜版和光掩膜版的区别?

考题 判断题光掩膜法中一次固化是一个截面,而光固化成形是逐点成面,因而光掩膜法成形效率比光固化成形高得多。A 对B 错

考题 单选题CD-ROM指的是()A CD唱片B 动态ROMC 只读型光盘D 可擦除的ROM

考题 问答题什么是光敏度,移相掩膜,驻波效应?