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80C51含（）掩膜ROM。

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考题 80C51可寻址片外ROM64K字节:0000H—FFFFH。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在进行空间分析时，经常设置Mask（掩膜），设置掩膜的作用是什么？
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考题 掩膜ROM只读存储器的内容是不可以改写的
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考题 EPROM的特点是（）。A、一种掩膜式ROM，数据由厂家出厂时写好，用户不能更改B、一种可编程的ROM，可由用户自己编写，但只能编写一次C、一种电可擦除的ROM，用电子的形式擦除数据，用户可编程多次D、一种可擦写的ROM，用紫外线照射擦除，用户可编程多次
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考题 80C51与8051的区别在于（）A、内部ROM的类型不同B、半导体工艺的型式不同C、内部寄存单元的数目不同D、80C51使用EEPROM，而8051使用EPROM
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考题 当使用80C51且/EA=1，程序存储器地址大于4KB时，访问的是（）ROM。
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考题 80C51包含5中断源。最短中断响应时间为（）个机器周期。
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考题 在下列单片机芯片中使用掩膜ROM作为内总程序存储器的是（）。A、8031B、80C51C、8032D、87C51
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考题 89C51采用的内部程序存储器是（）。A、EPROMB、ROMLessC、FlashD、掩膜ROM
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考题 在下列单片机芯片中使用掩膜ROM作为内部程序存储器的是（）A、8031B、80C51C、8032D、87C51
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考题 按照数据写入方式特点的不同，ROM可分为掩膜ROM，（），（）。
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考题 二元掩膜
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考题 能够用紫外光擦除ROM中程序的只读存储器称为（）。A、掩膜ROMB、PROMC、EPROMD、EEPROM
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考题 AT89S51单片机采用的内部程序存储器的类型是（）。A、EPROMB、FlashC、SFRD、掩膜ROM
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考题 填空题光化学腐蚀制备掩膜采用（）受到光照射而凝固，不受光的部分仍然为液态，这实质上是将化学加工常规制备掩膜时的（）和（）两道工序合二为一。
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考题 单选题掩膜型ROM可简记为（）。A PROMB MROMC EPROMD EEPROM
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考题 名词解释题PSM移相掩膜
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考题 填空题DSP芯片内部包含存储器类型有片内双访问存储器（DARAM）、片内单访问程序/数据RAM（SARAM）、掩膜型片内ROM存储器、（）、一次性可编程存储器（OTP）。
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考题 判断题光掩膜法成形原理上与光化学加工制备掩膜时原理类似，只是后者制备的掩膜较薄，而非立体零件。A 对B 错
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考题 单选题掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1，如果对应的某存储单元位没有连接MOS管，则该位信息为（）。A 不确定B 0C 1D 可能为0，也可能为1
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考题 问答题使用什么材料制作投影掩膜板，投影掩膜板上形成图形的不透明材料是什么？
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考题 判断题光掩膜法中一次固化是一个截面，而光固化成形是逐点成面，因而光掩膜法成形效率比光固化成形高得多。A 对B 错
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