考题
集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？
考题
解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
考题
什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别是什么？
考题
扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。A、埋层B、外延C、PN结D、扩散电阻E、隔离区
考题
有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。A、离子注入B、刻蚀C、扩散D、光刻
考题
光刻加工的工艺过程为（）A、①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原
考题
实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。A、光刻B、刻蚀C、氧化D、溅射
考题
酱香型白酒工艺中的“下沙”和“糙沙”分别指什么？
考题
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻
考题
判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A
对B
错
考题
问答题双极、CMO和BiCMOS集成电路器件各有何特点？
考题
填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。
考题
问答题光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？
考题
问答题在双极集成电路制造中，为什么要采用外延和埋层工艺？
考题
单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A
刻蚀B
离子注入C
光刻D
金属化
考题
填空题设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要（）、（）、（）、（）、（）、（）等六次光刻。
考题
判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A
对B
错
考题
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A
对B
错
考题
问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
考题
填空题集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、（）、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。
考题
判断题光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。A
对B
错
考题
问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？
考题
问答题为什么说光刻是IC制造中最重要的工艺？光刻的三个要素是什么？
考题
问答题在双极集成电路和MOS集成电路工艺中，为什么都要用外延层？
考题
问答题什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。
