考题
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区
考题
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。A、等离子体刻蚀B、反应离子刻蚀C、湿法刻蚀D、溅射刻蚀
考题
反应离子腐蚀是（）。A、化学刻蚀机理B、物理刻蚀机理C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
考题
有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。A、离子注入B、刻蚀C、扩散D、光刻
考题
试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。
考题
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以
考题
单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。A、氮化硅B、二氧化硅C、光刻胶D、多晶硅
考题
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻
考题
微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
考题
集成电路（IC）工厂建设的设计核心是（）。A、防微振技术B、微污染控制技术C、防噪声技术D、恒温恒湿技术
考题
问答题二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？
考题
单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A
a.离子束刻蚀、激光刻蚀B
b.干法刻蚀、湿法刻蚀C
c.溅射加工、直写加工
考题
单选题微传感器的加工工艺不包括（）。A
光刻技术B
HARQ技术C
半导体掺杂技术D
LIGA技术
考题
问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？
考题
填空题光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。
考题
填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。
考题
单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A
刻蚀B
离子注入C
光刻D
金属化
考题
单选题现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）A
扩散B
化学机械抛光C
刻蚀D
离子注入
考题
判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A
对B
错
考题
单选题实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。A
光刻B
刻蚀C
氧化D
溅射
考题
判断题光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。A
对B
错
考题
单选题电子刻蚀加工主要是通过热效应对工件进行加工，而离子刻蚀加工主要是通过（）效应对工件进行加工。A
撞击B
溅射C
注入D
撞击、溅射
考题
填空题微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
考题
填空题集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、（）、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。
考题
单选题离子束加工技术利用注入效应加工的是（）A
离子束刻蚀B
溅射镀膜C
离子镀D
离子注入
