考题
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区
考题
有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。A、离子注入B、刻蚀C、扩散D、光刻
考题
试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。
考题
实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。A、光刻B、刻蚀C、氧化D、溅射
考题
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以
考题
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
考题
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻
考题
微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
考题
单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A
a.离子束刻蚀、激光刻蚀B
b.干法刻蚀、湿法刻蚀C
c.溅射加工、直写加工
考题
问答题简述先进的0.18μmCMOS集成电路工艺技术工艺步骤。
考题
填空题光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。
考题
填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。
考题
多选题集成电路包括 ( )A布图设计B模板载体C工艺技术D应用设计E原材料
考题
判断题集成电路制造需要在告别净化环境下进行，而光刻区对净化级别要求最高，如普通制造环境为1000级，则光刻区的净化环境则为10000级。A
对B
错
考题
填空题随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（）以形成一个凹槽，然后淀积（）来覆盖其上的图形，再利用（）把铜平坦化至ILD的高度。
考题
单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A
刻蚀B
离子注入C
光刻D
金属化
考题
单选题现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）A
扩散B
化学机械抛光C
刻蚀D
离子注入
考题
判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A
对B
错
考题
填空题集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、（）、封装等工序。
考题
判断题集成电路制造与集成电路设计相关纽带是光刻掩膜版。A
对B
错
考题
单选题实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。A
光刻B
刻蚀C
氧化D
溅射
考题
判断题光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。A
对B
错
考题
问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？
考题
填空题微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
