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问答题
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶?

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考题 解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低?

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考题 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

考题 在深紫外曝光中,需要使用()光刻胶。A、DQNB、CAC、ARCD、PMMA

考题 在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度

考题 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

考题 晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有()。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷

考题 用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶()。A、ARCB、HMDSC、正胶D、负胶

考题 名词解释题光刻胶

考题 问答题什么是负胶分辨率的限制,哪种胶应用在亚微米光刻胶中?

考题 问答题给出硅片制造中光刻胶的两种目的。

考题 问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

考题 问答题什么是正光刻胶,负光刻胶?

考题 问答题光刻胶厚度随什么变化?

考题 问答题什么是负光刻胶?

考题 问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

考题 名词解释题正光刻胶

考题 填空题光刻工艺的分辨率决定于:()和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率()于负胶的分辨率;光刻胶越薄,分辨率越()。

考题 问答题简述光刻胶的概念及目的

考题 问答题光刻胶正胶和负胶的区别是什么?

考题 问答题简述光刻胶的成分特征。

考题 问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

考题 判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。A 对B 错

考题 判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A 对B 错

考题 填空题光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。

考题 多选题以下属于光刻工艺的为:()。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀