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问答题
什么是负胶分辨率的限制，哪种胶应用在亚微米光刻胶中？

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考题 光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。（）
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考题 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
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考题 解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
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考题 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
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考题 有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。A、负胶受显影液的影响比较小B、正胶受显影液的影响比较小C、正胶的曝光区将会膨胀变形D、使用负胶可以得到更高的分辨率E、负胶的曝光区将会膨胀变形
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考题 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度
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考题 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
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考题 晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
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考题 关于正胶和负胶的特点，下列说法正确的是（）。A、正胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率高于负胶B、正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解C、负胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率不会降低D、正胶的感光区域在显影时溶解，负胶的感光区域在显影时不溶解E、负胶在显影时会发生膨胀，导致了分辨率的降低
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考题 用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。A、ARCB、HMDSC、正胶D、负胶
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考题 问答题什么是正光刻胶，负光刻胶？
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考题 名词解释题正光刻胶
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考题 填空题光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。
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考题 问答题光刻胶正胶和负胶的区别是什么？
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考题 问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
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考题 判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A 对B 错
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考题 判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A 对B 错
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考题 问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
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考题 填空题光刻胶的三种主要成分是：（）。正胶的感光剂是（），曝光使其（），正胶的曝光区在显影后（）； 曝光使负胶的感光剂（），使曝光区在显影后（）。
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考题 问答题在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
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