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问答题
光刻工艺的主要流程有哪几步?什么是光刻工艺的分辨率?从物理角度看,限制分辨率的因素是什么?最常用的曝光光源是什么?

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考题 什么叫光刻?光刻工艺质量的基本要求是什么?

考题 光刻工艺一般都要经过涂胶、()、曝光、()、坚膜、腐蚀、()等步骤。

考题 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

考题 光刻的主要工艺流程按照操作顺序是()。A、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶B、涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶C、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶D、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶

考题 简述光刻工艺流程。

考题 简述4次光刻的工艺流程。

考题 试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。

考题 光刻加工的工艺过程为()A、①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原

考题 例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。

考题 光刻和刻蚀的目的是什么?

考题 光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是()A、电子束曝光技术B、离子束曝光技术C、X射线曝光技术

考题 问答题什么是负胶分辨率的限制,哪种胶应用在亚微米光刻胶中?

考题 问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

考题 填空题光刻工艺的分辨率决定于:()和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率()于负胶的分辨率;光刻胶越薄,分辨率越()。

考题 问答题什么是光刻?光刻的主要流程有哪些?

考题 填空题光学光刻机的主要曝光光线的是波长为()的g线和()的i线,适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用()的KrF和()的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。

考题 判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A 对B 错

考题 判断题曝光波长的缩短可以使光刻分辨率线性提高,但同时会使焦深线性减小。如果增大投影物镜的数值孔径,那么在提高光刻分辨率的同时,投影物镜的焦深也会急剧减小,因此在分辨率和焦深之间必须折衷。A 对B 错

考题 填空题光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。

考题 问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻,每次光刻目的是什么?

考题 问答题为什么说光刻是IC制造中最重要的工艺?光刻的三个要素是什么?

考题 单选题光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是()。A 电子束曝光技术B 离子束曝光技术C X射线曝光技术

考题 问答题陈述分辨率公式。影响光刻分辨率的三个参数?

考题 问答题什么是光刻加工技术?试简述光刻加工的原理和工艺流程。

考题 问答题光刻的作用是什么?列举两种常用曝光方式。

考题 填空题光刻工艺的主要工序有:()组成。

考题 多选题以下属于光刻工艺的为:()。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀