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光刻的主要工艺流程按照操作顺序是()。
- A、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
- B、涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
- C、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
- D、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶
参考答案
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考题
单选题一般显影液中含有四种主要成分,正确的是()。A
显影剂、保护剂、酸性剂和抑制剂B
显影剂、保护剂、促进剂和坚膜剂C
显影剂、保护剂、促进剂和抑制剂D
显影剂、保护剂、坚膜剂、酸性剂
考题
单选题不论正胶或负胶,光刻过程中都包括如下步骤: 1.刻蚀 2.前烘 3..显影 4.去胶 5.涂胶 6.曝光 7.坚膜 以下选项排列正确的是:()。A
2561437B
5263471C
5263741D
5263714。
考题
填空题前烘的目的是()使胶膜中的溶剂只有初始浓度的()。从而,使胶的()性能稳定。对正胶,前烘过度会使非曝光区的胶();前烘不足,会使胶的感光度(),对比度(),线条边缘不陡直。所以,必须严格控制前烘的()和()。
考题
单选题显影液作用:()A
停止胶片处理B
坚膜C
回收银D
将曝光的卤化银晶粒变为金属银
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