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光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（）

  • A、电子束曝光技术
  • B、离子束曝光技术
  • C、X射线曝光技术

参考答案

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考题 下列5个能量选项中,哪些可能在光刻加工的曝光工艺中应用() A.电子束B.离子束C.激光束D.超声波E.等离子体
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考题 应用“向右曝光”技术的主要目的是A.准确曝光B.后期降噪C.增加对比度
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考题 所谓的“合适”曝光就是利用感光特性曲线的直线部分曝光，这是摄影曝光的技术标准。此题为判断题(对，错)。
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考题 解决视野小、一个部位需要多次曝光的措施,正确的是()。 A.使用电影技术B.数字放大技术C.采用遥控技术D.步进式的曝光摄影E.采用超大输入野影像增强器
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考题 采用中子照相法时,下列哪一种曝光方法是正确的?() A、直接用X射线胶片曝光B、利用镉屏和钆屏受中子激发后再使用X射线胶片曝光C、利用铅箔增感屏加X射线胶片曝光D、利用荧光增感屏加X射线胶片曝光
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考题 以下有关周向曝光技术的说法错误的是（）A、在进行周向曝光技术时把周向X光机或线源放在工件的圆心位置上B、周向曝光技术在整个圆周方向上射线束均与工件表面垂直，不存在透照厚度差C、采用周向曝光技术时，容器或圆筒内半径可以适当降低几何不清晰度的要求D、具有速度快、效率高，射线照相黑度均匀的特点
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考题 按曝光的光源分类，曝光可以分为（）。A、光学曝光B、离子束曝光C、接近式曝光D、电子束曝光E、投影式曝光
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考题 试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采用了背曝光为什么还要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行吗？
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考题 所谓的“合适”曝光就是利用感光特性曲线的直线部分曝光，这是摄影曝光的技术标准。
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考题 采用中子照相法时，其曝光方法是利用荧光增感屏+X射线胶片曝光。
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考题 应用“向右曝光”技术的前提是（）。A、亮区直方图不到位B、场景动态范围过大C、向右曝光后直方图宽窄不变
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考题 光刻加工的工艺过程为（）A、①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原
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考题 如果已知等效系数，用X射线曝光曲线来代替γ射线曝光曲线，也能求出曝光参数。
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考题 采用射线源至于圆心位置的周向曝光技术时，象质计应放在（），每隔90度放一个。
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考题 应用“向右曝光”技术的主要目的是（）A、准确曝光B、后期降噪C、增加对比度
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考题 要使用HDR技术，必须拍摄HDR图像，这就需要为完全相同的场景以不同的曝光拍摄多幅图像。因此需要使用（）进行拍摄。A、三脚架B、包围曝光C、滤色镜D、长时间曝光技术
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考题 单选题采用中子照相法时，下列哪一种曝光方法是正确的？（）A 直接用X射线胶片曝光B 利用镉屏和钆屏受中子激发后再使用X射线胶片曝光C 利用铅箔增感屏加X射线胶片曝光D 利用荧光增感屏加X射线胶片曝光
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考题 单选题光刻加工的工艺过程为：（）A ①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B ①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C ①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原
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考题 判断题所谓的“合适”曝光就是利用感光特性曲线的直线部分曝光，这是摄影曝光的技术标准。A 对B 错
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考题 判断题如果已知等效系数，用X射线曝光曲线来代替γ射线曝光曲线，也能求出曝光参数。A 对B 错
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考题 判断题先进集成电路加工中，主要采用投影式光刻曝光技术。A 对B 错
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考题 填空题光刻的图形曝光方式有：接触式曝光、接近式曝光和（）曝光。
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考题 单选题要使用HDR技术，必须拍摄HDR图像，这就需要为完全相同的场景以不同的曝光拍摄多幅图像。因此需要使用（）进行拍摄。A 三脚架B 包围曝光C 滤色镜D 长时间曝光技术
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考题 问答题列出4种曝光技术，并说明那种分辨率最高，说明各种曝光技术的优缺点。
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考题 单选题以下有关周向曝光技术的说法错误的是（）A 在进行周向曝光技术时把周向X光机或线源放在工件的圆心位置上B 周向曝光技术在整个圆周方向上射线束均与工件表面垂直，不存在透照厚度差C 采用周向曝光技术时，容器或圆筒内半径可以适当降低几何不清晰度的要求D 具有速度快、效率高，射线照相黑度均匀的特点
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考题 判断题在紫外光曝光、X射线曝光、电子束曝光技术中可实现直写式曝光不需要掩模版的是X射线曝光技术。A 对B 错
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考题 单选题光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（）。A 电子束曝光技术B 离子束曝光技术C X射线曝光技术
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