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绝缘体有缺陷时,其介损tgδ将随试验()升高而变()。


参考答案

更多 “绝缘体有缺陷时,其介损tgδ将随试验()升高而变()。” 相关考题
考题 电介质的tgδ值( )。A.随温度升高而下降 B.随频率增高而增加 C.随电压升高而下降 D.随湿度增加而增加

考题 测得一台LCWD2—110型110kV电流互感器,其主绝缘介损tgδ值为0.33%;末屏对地的介损介损tgδ值为16.3%,以下几种诊断意见,其中()哪项是错误的。A、主绝缘良好,可以继续运行B、暂停运行,进一步做油中溶解气体色谱分析及油的水分含量测试C、末屏绝缘介损超标D、不合格

考题 绝缘试验时,tgδ随温度的增加而()。A、增加B、不变C、减小

考题 绝缘良好的电气设备,其tgδ值随电压的升高而()。A、没有明显的增加B、有明显的增加C、有明显降低D、没有明显降低。

考题 一般情况下,介损tgδ试验主要反映设备的整体缺陷,而对局部缺陷反映不灵敏。

考题 测量电缆的泄漏电流,出现()情况时,电缆绝缘可能有缺陷,应找出缺陷部位,并予以处理。A、随试验时间延长有下降现象B、随试验时间延长有上升现象C、随试验电压升高急剧上升D、很不稳定

考题 电介质的tgδ值()。A、随温度升高而下降B、随频率增高而增加C、随电压升高而下降D、随湿度增加而增加

考题 当被试品电容量很小,测量其介损tgδ时,介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。

考题 绝缘良好的电气设备,其tgδ值随电压的升高而()。

考题 在现场测量介损tgσ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。

考题 介损tgδ不能发现的缺陷有()。A、整体受潮B、劣化C、大体积绝缘的集中性缺陷D、小体积绝缘的集中性缺陷

考题 测量变压器整体对地介损tgδ,可采用介损仪正接线及反接线。

考题 在一般情况下,介损tgδ试验主要反映设备绝缘的整体缺陷,而对局部缺陷反映不灵敏。

考题 绝缘试验时,tgδ随温度的增加而减小。

考题 用反接线测量电磁式电流互感器的介损,一次加压,二次开路,对其测量介损tgδ值影响不大。

考题 通常把绝缘电阻、泄漏电流、介损tgδ、油的化学性能等的试验叫作绝缘的予防性试验,试说明这些试验项目可以发现的绝缘缺陷的类型。

考题 在现场测量介损tgδ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。在与电气化铁路距离较近的变电站测量介损tgδ时上述情况尤为严重。

考题 在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时,若存在电场干扰,则在任意测试电源极性的情况下,所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。

考题 用反接线方式,测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ,如介损仪本体接地不良,与其介损测量结果无关。

考题 绝缘良好的tgδ不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷,则其tgδ将随电压的升高而明显增加。

考题 测量串级式电压互感器介损tgδ的接线方法,有哪几种?

考题 测量一台110kV电力变压器,高压绕组对中+低压绕组及地介损损tgδ,当tgδ不合格时,一般表明其高压套管tgδ不合格。

考题 变电所高压电气设备试验项目包括()A、绝缘电阻的测量B、直流高压试验C、介损tgδ的测定D、交流耐压试验

考题 关于电容型电流互感器高压介质损测量,下列说法正确的是()。A、绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大,只在接近额定电压时才略微增加B、绝缘严重受潮的设备在较低的电压下,tgδ值就较大,随着电压的升高tgδ值增大C、发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时,tgδ急剧增高D、绝缘中含有离子型杂质的设备,tgδ随电压上升而下降

考题 填空题在现场测量介损tgσ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。

考题 单选题电介质的tgδ值()。A 随温度升高而下降B 随频率增高而增加C 随电压升高而下降D 随湿度增加而增加

考题 判断题在一般情况下,介损tgδ试验主要反映设备绝缘整体缺陷,而对局部缺陷反映不灵敏。A 对B 错