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绝缘良好的tgδ不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷，则其tgδ将随电压的升高而明显增加。
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考题
若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1＝5%，C1＝250pF；而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2＝0.4%，C2＝10000pF，则设备整体绝缘试验时，其总的tgδ值与（）接近。A、0.3%；B、0.5%；C、4.5%；D、2.7%。
考题
关于电容型电流互感器高压介质损测量，下列说法正确的是（）。A、绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大，只在接近额定电压时才略微增加B、绝缘严重受潮的设备在较低的电压下，tgδ值就较大，随着电压的升高tgδ值增大C、发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时，tgδ急剧增高D、绝缘中含有离子型杂质的设备，tgδ随电压上升而下降
考题
单选题若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1＝5%，C1＝250pF；而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2＝0.4%，C2＝10000pF，则设备整体绝缘试验时，其总的tgδ值与（）接近A
0.003B
0.005C
0.045D
0.027
考题
填空题绝缘试验中（）是指使用较低的试验电压或其他不会损伤绝缘的办法来测量绝缘的某些特性，从而判断绝缘内部是否存在缺陷。
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