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测量变压器整体对地介损tgδ，可采用介损仪正接线及反接线。

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考题 35kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。A、18B、20C、22D、25
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考题 用正接线法测量绝缘介损一定比反接法测量的介损值要大。
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考题 测得一台LCWD2—110型110kV电流互感器，其主绝缘介损tgδ值为0.33%；末屏对地的介损介损tgδ值为16.3%，以下几种诊断意见，其中（）哪项是错误的。A、主绝缘良好，可以继续运行B、暂停运行，进一步做油中溶解气体色谱分析及油的水分含量测试C、末屏绝缘介损超标D、不合格
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考题 当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
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考题 采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（）。A、自激法B、末端加压法C、末端屏蔽法
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考题 110（66）kV-220kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。A、18B、20C、22D、25
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考题 变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时，测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。A、10B、15C、20D、25
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考题 110（66）kV-220kV变压器出厂验收时，绕组连同套管对地及其余绕组间的介损tgδ不大于（）%。A、0.5B、0.6C、0.7D、0.8
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考题 测量变压器绕组的介损值时，介损测试仪应该使用正接法。（）
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考题 采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加压，X端和底座接地，二、三次短路后，引入介损仪，采用正接线。
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考题 用介损仪反接线测量小电容量试品（＜50PF）的介损tgδ及Cx时，在附近处有物体（如梯子等）情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值（）。A、大B、相等C、小D、以上均不是
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考题 用反接线测量电磁式电流互感器的介损，一次加压，二次开路，对其测量介损tgδ值影响不大。
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考题 测量CVT分接电容C2的介损和电容量时，C2的“δ”点接介损电桥的高压端，主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端，用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限，为保护“δ”，试验电压不超过（）。A、10000VB、5000VC、2500VD、1000V
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考题 在现场测量介损tgδ时，如果试验电源的电压波形不好，含有较大的（）分量，则电桥很难（）。在与电气化铁路距离较近的变电站测量介损tgδ时上述情况尤为严重。
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考题 在现场相同条件下（好天气），用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。
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考题 采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（）。A、自激法B、它激法C、未端加压法D、未端屏蔽法
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考题 在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
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考题 用反接线方式，测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ，如介损仪本体接地不良，与其介损测量结果无关。
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考题 小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
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考题 测量串级式电压互感器介损tgδ的接线方法，有哪几种？
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考题 用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线？
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考题 用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。
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考题 使用高压电桥测量耦合电容器（包括断路器的断口均压电容器）的介损和电容时，宜采用（），反接线测量误差较（）。A、反接；小B、正接；大C、反接；大D、正接；小
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考题 测量一台110kV电力变压器，高压绕组对中+低压绕组及地介损损tgδ，当tgδ不合格时，一般表明其高压套管tgδ不合格。
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考题 进行绝缘介损测量时，当标准电容受潮而有较大介损时会使实测绝缘介损减少。（）
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考题 当变压器电容型套管对地绝阻低于1000MΩ时，应测量末屏对地的介损，加压（）。
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考题 测量主绝缘为电容式结构的电流互感器的的介损及电容量时，有末屏的应尽量使用（）进行测量。A、正接线B、反接线C、自激法D、末屏加压法
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