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内光电效应是半导体材料在光的照射发生电阻减小的光导放电效应，最早由英国科学家史密斯在1873年研究半导体材料硅晶体时发现。（）
参考答案
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考题
光照射在某些半导体材料表面上时,半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态,使半导体的导电率增加,这种现象叫()
A、内光电效应B、外光电现象C、热电效应D、光生伏特效应
考题
在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；相应的器件如光电管、光电倍增管入射光改变材料内部电阻率的现象称（）；相应的器件如光敏电阻半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）。相应的器件如光电池、光电仪表。
考题
多选题以下有关光电效应的说法中正确的是（）A照射到金属上的光，只要其频率大于金属的极限频率，就会发生光电效应B光电子是光子与电子结合后生成的C光电子的初动能与照射光的频率有关，而与光的强度无关D光电效应中单位时间逸出的光电子数主要取决于照射到金属上光的强度
考题
单选题氧化铅光导摄像管的叙述，哪组是错误的？（）A
它的工作原理与光导摄像管大致相同B
半导体材料薄层，其导电率取决于内光电效应C
将光影像转换为相应的电脉冲D
电子束取自傍热式阴极E
阴极大约200V的正电位
考题
单选题当红外辐射照射在某些半导体材料表面上时，半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态，使半导体的导电率增加，这种现象叫（）A
光电效应B
光电导现象C
热电效应D
光生伏特现象
考题
单选题在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）A
外光电效应B
光电发射C
内光电效应D
光生伏特效应
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