网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）
判断题
内光电效应是半导体材料在光的照射发生电阻减小的光导放电效应，最早由英国科学家史密斯在1873年研究半导体材料硅晶体时发现。
A

对

B

错

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
更多 “判断题内光电效应是半导体材料在光的照射发生电阻减小的光导放电效应，最早由英国科学家史密斯在1873年研究半导体材料硅晶体时发现。A 对B 错” 相关考题
考题 直接转换FPD利用的光导半导体材料是A、非晶硅B、非晶硒C、CslD、PSLE、非晶碳
查看答案
考题 硒鼓或感光带由( )制成。A.半导体B.释放电子C.光导材料D.硒、锗或硅
查看答案
考题 在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于( )。 A. 外光电效应B. 内光电效应C. 光电发射D. 光导效应
查看答案
考题 光照射在某些半导体材料表面上时,半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态,使半导体的导电率增加,这种现象叫() A、内光电效应B、外光电现象C、热电效应D、光生伏特效应
查看答案
考题 最早用于制造太阳能电池的半导体材料是()。 A.单晶硅B.晶体硅C.多晶硅
查看答案
考题 太阳能光伏最常用的半导体材料是（）。A、硅B、铁C、碳D、铜
查看答案
考题 半导体材料发生光电效应，对入射光的频率有什么要求？
查看答案
考题 内光电效应是半导体材料在光的照射发生电阻减小的光导放电效应，最早由英国科学家史密斯在1873年研究半导体材料硅晶体时发现。（）
查看答案
考题 在光线作用下，半导体电导率改变的现象属于（）.A、外光电效应B、内光电效应C、光电发射D、光生伏特效应
查看答案
考题 在光的照射下，材料的导电性增加，而电阻下降的现象叫内光电效应。
查看答案
考题 在光的照射下材料的电阻率发生改变的现象称为外光电效应。（）
查看答案
考题 在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）。A、外光电效应B、内光电效应C、光电发射D、光导效应
查看答案
考题 光生伏特效应就是半导体材料吸收光能后，在PN结上产生电动势的效应。
查看答案
考题 半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的（）。A、压阻效应；B、应变效应；C、霍耳效应；D、光电效应
查看答案
考题 在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；相应的器件如光电管、光电倍增管入射光改变材料内部电阻率的现象称（）；相应的器件如光敏电阻半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）。相应的器件如光电池、光电仪表。
查看答案
考题 半导体内光电效应与光强和光频率的关系是什么？
查看答案
考题 最早用于制造太阳能电池的半导体材料是（）。A、单晶硅B、晶体硅C、多晶硅
查看答案
考题 硅和锗半导体材料都是晶体结构。
查看答案
考题 填空题在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；相应的器件如光电管、光电倍增管入射光改变材料内部电阻率的现象称（）；相应的器件如光敏电阻半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）。相应的器件如光电池、光电仪表。
查看答案
考题 单选题（）是半导体光电子材料中发生的一种外光电效应。A 光电导B 光生伏特效应C 光电子发射
查看答案
考题 单选题半导体压敏电阻式进气压力传感器的压力转换元件是利用半导体的（）制成的硅膜片。A 压阻效应B 光电效应C 压电效应D 磁阻效应
查看答案
考题 填空题半导体光电子材料中发生的光电效应主要有（）、（）和（）三种。前两种是内光电效应，第三种是外光电效应。
查看答案
考题 单选题光照到某些金属或半导体材料上，若入射的光子能量足够大，致使电子从材料中逸出，称为（）效应。A 光电导效应；B 光生伏特效应；C 内光电效应；D 光电发射。
查看答案
考题 单选题当红外辐射照射在某些半导体材料表面上时，半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态，使半导体的导电率增加，这种现象叫（）A 光电效应B 光电导现象C 热电效应D 光生伏特现象
查看答案
考题 判断题在光的照射下材料的电阻率发生改变的现象称为外光电效应。（）A 对B 错
查看答案
考题 单选题在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）。A 外光电效应B 内光电效应C 光电发射D 光导效应
查看答案
考题 单选题在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）A 外光电效应B 光电发射C 内光电效应D 光生伏特效应
查看答案
热门标签
最新试卷