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半导体内光电效应与光强和光频率的关系是什么？

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考题 光照射在某些半导体材料表面上时,半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态,使半导体的导电率增加,这种现象叫() A、内光电效应B、外光电现象C、热电效应D、光生伏特效应
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考题 透射免疫浊度法的吸光度A指的是A、透射光强度B、入射光强度C、入射光与透射光的比率D、入射光与透射光的差值E、透射光强度减去入射光强度
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考题 II．多项选择题6．光电效应的实验结论是：对于某种金属（ ）（A）无论光强多强，只要光的频率小于极限频率就不能产生光电效应（B）无论光的频率多低，只要光照时间足够长就能产生光电效应（C）超过极限频率的入射光强度越弱，所产生的光电子的最大初动能就越小（D）超过极限频率的入射光频率越高，所产生的光电子的最大初动能就越大
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考题 内光电效应是半导体材料在光的照射发生电阻减小的光导放电效应，最早由英国科学家史密斯在1873年研究半导体材料硅晶体时发现。（）
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考题 光强与植物光合作用率的关系如何？什么是光补偿点和光饱和点？
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考题 光电效应中，光电流的强度与（）有关A、入射光的强度B、光照射的时间C、入射光的频率D、响应时间
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考题 在光线作用下，半导体电导率改变的现象属于（）.A、外光电效应B、内光电效应C、光电发射D、光生伏特效应
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考题 种材料的红限频率为γ0，入射光的频率为γ。若γ0＞γ，则下列说法正确的是（）。A、一定能发生外光电效应B、一定不能发生外光电效应C、能否发生外光电效应还取决于光强D、无法判断
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考题 只有当入射光频率高于红限频率时，光电效应才能够产生。
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考题 在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）。A、外光电效应B、内光电效应C、光电发射D、光导效应
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考题 在光电效应实验中，如果保持入射光的频率不变（超过红限）而增加光强，则随之增加的是（）A、遏止电势差B、饱和光电流C、光电子的最大初动能D、光电子的能量
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考题 当一束光照射某金属时，未出现光电效应。欲使该使金属产生光电效应，则应（）A、尽可能增大入射光强度B、尽可能延长照射时间C、选用波长更短的入射光D、选用频率更小的入射光
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考题 全息照片记录的除了光强和光波长之外还有（）A、位相差B、光频率C、光微子D、光径
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考题 光电效应中的红限频率依赖于（）A、入射光的强度B、入射光的频率C、入射光的颜色D、金属的逸出功
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考题 多选题以下有关光电效应的说法中正确的是（）A照射到金属上的光，只要其频率大于金属的极限频率，就会发生光电效应B光电子是光子与电子结合后生成的C光电子的初动能与照射光的频率有关，而与光的强度无关D光电效应中单位时间逸出的光电子数主要取决于照射到金属上光的强度
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考题 多选题对光电效应的研究结果，下列叙述中正确的是（）A入射光的频率必须大于极限频率时才能产生光电效应B光电子的发射几乎是瞬时的C产生光电效应时，光电流强度与入射光强度成正比D光电子的最大初动能与入射光的频率成正比
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考题 问答题半导体内光电效应与光强和光频率的关系是什么？
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考题 填空题半导体光电子材料中发生的光电效应主要有（）、（）和（）三种。前两种是内光电效应，第三种是外光电效应。
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考题 单选题爱因斯坦提出了光量子概念并成功地解释光电效应的规律而获得1921年的诺贝尔物理学奖。某种金属逸出光电子的最大初动能Ekm与入射光频率v的关系如图所示，其中v0为极限频率。从图中可以确定的是( )。A 逸出功与v有关B Ekm与入射光强度成正比C vv0时，会逸出光电子D 图中直线的斜率与普朗克常量有关
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考题 单选题全息照片记录的除了光强和光波长之外还有（）A 位相差B 光频率C 光微子D 光径
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考题 判断题内光电效应是半导体材料在光的照射发生电阻减小的光导放电效应，最早由英国科学家史密斯在1873年研究半导体材料硅晶体时发现。A 对B 错
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考题 单选题在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）。A 外光电效应B 内光电效应C 光电发射D 光导效应
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考题 单选题在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）A 外光电效应B 光电发射C 内光电效应D 光生伏特效应
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