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单选题
（）是半导体光电子材料中发生的一种外光电效应。
A

光电导

B

光生伏特效应

C

光电子发射

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
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考题 下列关于光电效应的说法正确的是A、光电效应是光子把部分能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程B、光电效应是光子把全部能量转移给原子核使电子变为光电子的过程C、光电效应是光子把全部能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程D、靶物质原子序数低时发生光电效应的几率较高E、光电效应不需要原子核参与作用
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考题 在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于( )。 A. 外光电效应B. 内光电效应C. 光电发射D. 光导效应
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考题 光照射在某些半导体材料表面上时,半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态,使半导体的导电率增加,这种现象叫() A、内光电效应B、外光电现象C、热电效应D、光生伏特效应
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考题 半导体材料发生光电效应，对入射光的频率有什么要求？
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考题 以下关于光电效应的叙述，哪一条是错误的（）A、光电效应发生几率随光子能量的增大而减小B、光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大C、光电效应过程中除产生光电子外，有时还会产生反冲电子D、光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量
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考题 下列关于光电效应的说法哪一种是正确的（）A、光电效应是光子把部分能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程B、光电效应是光子把全部能量转移给原子核使电子变为光电子的过程C、光电效应是光子把全部能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程D、靶物质原子序数低时发生光电效应的几率较高E、光电效应不需要原子核参与作用
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考题 内光电效应是半导体材料在光的照射发生电阻减小的光导放电效应，最早由英国科学家史密斯在1873年研究半导体材料硅晶体时发现。（）
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考题 用紫光照射某金属恰可以发生光电效应，现改用较弱的白光照射该金属，则（）A、可能不发生光电效应B、逸出光电子的时间明显变长C、逸出光电子的最大初动能不变D、单位时间逸出光电子的数目变多
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考题 在光线作用下，半导体电导率改变的现象属于（）.A、外光电效应B、内光电效应C、光电发射D、光生伏特效应
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考题 发生外光电效应时，从物体表面逸出的电子称为光电子。
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考题 外光电效应是指受光照物体（通常为半导体材料）电导率发生变化或产生光电动势的效应。
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考题 在光电效应的实验中，增加照射光的强度，逸出的光电子的速度将增大。
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考题 在光的照射下材料的电阻率发生改变的现象称为外光电效应。（）
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考题 下列对光电效应的叙述中，哪些是正确的（）A、光电效应发生的概率随光子的能量增大而减小B、光电效应发生的概率随材料的原子序数增大而增大C、光电效应过程除产生光电子外，有时还会产生反冲电子D、光电效应发射出的电子能量肯定小于入射光子的能量E、光电效应作用对象为轨道电子
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考题 种材料的红限频率为γ0，入射光的频率为γ。若γ0＞γ，则下列说法正确的是（）。A、一定能发生外光电效应B、一定不能发生外光电效应C、能否发生外光电效应还取决于光强D、无法判断
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考题 在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）。A、外光电效应B、内光电效应C、光电发射D、光导效应
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考题 半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的（）。A、压阻效应；B、应变效应；C、霍耳效应；D、光电效应
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考题 多选题以下有关光电效应的说法中正确的是（）A照射到金属上的光，只要其频率大于金属的极限频率，就会发生光电效应B光电子是光子与电子结合后生成的C光电子的初动能与照射光的频率有关，而与光的强度无关D光电效应中单位时间逸出的光电子数主要取决于照射到金属上光的强度
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考题 单选题以下关于光电效应的叙述，哪一条是错误的（）A 光电效应发生几率随光子能量的增大而减小B 光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大C 光电效应过程中除产生光电子外，有时还会产生反冲电子D 光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量
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考题 多选题用某种单色光照射某金属表面，发生光电效应．现将单色光的光强减弱，则（　　）．A光电子的最大初动能减小B光电子的最大初动能不变C单位时间内产生的光电子数减少D可能不发生光电效应
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考题 单选题下列关于光电效应的说法正确的是（）A 光电效应是光子把部分能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程B 光电效应是光子把全部能量转移给原子核使电子变为光电子的过程C 光电效应是光子把全部能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程D 靶物质原子序数低时发生光电效应的几率较高E 光电效应不需要原子核参与作用
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考题 单选题当用绿光照射某金属时，可以发生光电效应，改用强度比绿光弱的紫光照射该金属，则（）A 光电子的最大初动能减小，光电流减弱B 光电子的最大初动能增大，光电流减弱C 光电子的最大初动能减小，光电流增大D 不能发生光电效应.
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考题 填空题半导体光电子材料中发生的光电效应主要有（）、（）和（）三种。前两种是内光电效应，第三种是外光电效应。
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考题 单选题光电子发射探测器是基于（）的光电探测器。A 内光电效应B 外光电效应C 光生伏特效应D 光热效应
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考题 判断题外光电效应是指受光照物体（通常为半导体材料）电导率发生变化或产生光电动势的效应。A 对B 错
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考题 判断题内光电效应是半导体材料在光的照射发生电阻减小的光导放电效应，最早由英国科学家史密斯在1873年研究半导体材料硅晶体时发现。A 对B 错
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考题 单选题在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）。A 外光电效应B 内光电效应C 光电发射D 光导效应
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