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下列关于光电效应的说法正确的是
A、光电效应是光子把部分能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程
B、光电效应是光子把全部能量转移给原子核使电子变为光电子的过程
C、光电效应是光子把全部能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程
D、靶物质原子序数低时发生光电效应的几率较高
E、光电效应不需要原子核参与作用
参考答案
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考题
硅光电池是利用光电效应原理制成的器件,下列表述正确的是A．硅光电池是把光能转变为电能的一种装置B．硅光电池中吸收了光子能量的电子都能逸出C．逸出的光电子的最大初动能与入射光的频率无关D．任意频率的光照射到硅光电池上都能产生光电效应
考题
下列有关光电效应的叙述，错误的是( )。A.诊断用X线与铅的相互作用形式，主要是光电效应B.光电效应的结果是，入射光子能量的一部分以散射光子释放C.光电效应可产生特征放射、光电子和正离子D.光电效应中，X线光子能量全部给予了物质原子的壳层电子E.光电效应以光子击脱原子的内层轨道电子而发生
考题
在低能时光电效应是丫射线与物质相互作用的最主要形式，下列说法正确的是A、入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正前方(0°)发射B、入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正后方(180°)发射C、入射γ光子能量很低时，光电子在垂直于入射γ光子方向上发生D、入射γ光子能量增加时，光电子逐渐向后角发射E、入射γ光子能量减少时，光电子逐渐向前角发射
考题
在低能时光电效应是γ射线与物质相互作用的最主要形式,下列说法正确的是
A、入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正前方(0°)发射B、入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正后方(180°)发射C、入射γ光子能量很低时，光电子在垂直于入射γ光子方向上发生D、入射γ光子能量增加时，光电子逐渐向后角发射E、入射γ光子能量减少时，光电子逐渐向前角发射
考题
下列关于光电效应的说法哪一种是正确的A、光电效应是光子把部分能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程B、光电效应是光子把全部能量转移给原子核使电子变为光电子的过程C、光电效应是光子把全部能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程D、靶物质原子序数低时发生光电效应的几率较高E、光电效应不需要原子核参与作用
考题
关于外光电效应下列说法正确的是 （)A．只要光强足够大就能产生光电子发射B．只要入射光ν＞νred （红限频率）就能产生光电子发射C．当hν＜A0 就能产生光电子发射D．光电子发射只与材料的逸出功A0有关与光子的频率无关
考题
根据与光子相互作用后电子是否留在物体内部，可将光电效应分为外光电效应和内光电效应两种。其中外光电效应指的是光电子发射现象，内光电效应包含光电导现象和光生伏特现象。
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