考题
离子束加工包括( )。
A.离子束溅射去除加工B.离子束溅射镀膜C.离子束溅射注入D.离子束焊接
考题
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。A、等离子体刻蚀B、反应离子刻蚀C、湿法刻蚀D、溅射刻蚀
考题
离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量
考题
反应离子腐蚀是（）。A、化学刻蚀机理B、物理刻蚀机理C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
考题
离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量
考题
（）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。A、溅射率B、溅射系数C、溅射效率D、溅射比
考题
（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。A、蒸镀B、离子注入C、溅射D、沉积
考题
（）是通过把被蒸物体加热，利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。A、蒸镀B、溅射C、离子注入D、CVD
考题
有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。A、离子注入B、刻蚀C、扩散D、光刻
考题
用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫（）。A、蒸镀B、离子注入C、溅射D、沉积
考题
对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。A、入射离子的能量B、入射离子的质量C、入射离子的原子序数D、靶原子的质量、原子序数、原子密度E、注入离子的总剂量
考题
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以
考题
（）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。A、蒸镀B、离子注入C、溅射D、沉积
考题
对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。A、离子注入B、溅射C、淀积D、扩散
考题
下列不属于离子束加工技术的是（）。A、离子束刻蚀B、离子束焊接C、离子注入技术D、离子束镀膜技术
考题
单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A
a.离子束刻蚀、激光刻蚀B
b.干法刻蚀、湿法刻蚀C
c.溅射加工、直写加工
考题
判断题光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。A
对B
错
考题
填空题圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。
考题
判断题离子注入工艺中入射离子能量低于临界能量时核阻止本领占主导，高于临界能量时电子阻止本领占主导。A
对B
错
考题
单选题集成电路生产中，金属薄膜的沉积通常采用（）A
溅射物理气相沉积B
蒸发物理气相沉积C
等离子增强化学气相沉积D
低压化学气相沉积
考题
单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A
刻蚀B
离子注入C
光刻D
金属化
考题
单选题现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）A
扩散B
化学机械抛光C
刻蚀D
离子注入
考题
单选题电子刻蚀加工主要是通过热效应对工件进行加工，而离子刻蚀加工主要是通过（）效应对工件进行加工。A
撞击B
溅射C
注入D
撞击、溅射
考题
单选题“PECVD”中文表述是（）。A
脉冲激光沉积B
金属有机化学气相沉积C
溅射D
等离子体增强化学气相沉积
考题
单选题离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（）A
离子注入B
热扩散
考题
单选题离子束加工技术利用注入效应加工的是（）A
离子束刻蚀B
溅射镀膜C
离子镀D
离子注入
