网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)
判断题
85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。
A

B


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
更多 “判断题85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。A 对B 错” 相关考题
考题 晶体生长有不同的方法,以下不是熔体法生长的是()。 A、直拉法B、布里奇曼法C、区熔法D、真空蒸发法

考题 硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

考题 c-z法生产单晶硅棒工艺中,控制位错产生的工序是()。 A.上述说法均不对B.缩颈生长与尾部生长C.等径生长D.放肩生长

考题 采用分层总和法计算软土地基沉降量时,压缩层下限确定的根据是: A. σcz/σz≤0. 2 B. σz/σcz≤0. 2 C. σz/σcz≤0. 1 D. σcz/σz≤0. 1

考题 采用分层总和法计算软土地基最终沉降量时,压缩层下限确定的根据是(  )。A.σCz/σz≤0.2 B.σz/σCz≤0.02 C.σCz/σz≤0.1 D.σz/σCz≤0.1

考题 直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段?()A、6B、2C、4D、5

考题 ()是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触,边缓慢旋转提拉,使结晶生长,最后得到长棒形状的单晶硅。A、直拉法B、铸锭法C、西门子法D、三氯氢硅还原法

考题 单晶硅锭的制备方法很多,目前国内外在生产中主要采用溶体直拉法和辉光放电法。

考题 下面是直拉法生产单晶硅工艺流程图正确顺序的是()。A、种晶—放肩—等径—引晶B、引晶—放肩—等径—种晶C、种晶—引晶—放肩—等径D、引晶—种晶—放肩—等径

考题 下面哪种不是单晶硅的制备方法()。A、硅带法B、区熔法C、直拉单晶法D、磁拉法

考题 那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()A、分凝B、蒸发C、坩埚污染D、损坏

考题 单选题采用分层总和法计算软土地基沉降量时,压缩层下限确定的根据是:()A σcz/σz≤0.2B σz/σcz≤0.2C σz/σcz≤0.1D σcz/σz≤0.1

考题 单选题当采用分层总和法计算软土地基沉降量时,压缩层下限确定的根据是(  )。A σcz/σz≤0.2B σz/σcz≤0.1C σcz/σz≤0.1D σz/σcz≤0.2

考题 问答题定义晶体生长,什么是CZ单晶生长法?

考题 单选题半导体工业所用的硅单晶()是用CZ法生长的。A 70%B 80%C 90%D 60%

考题 填空题CZ直拉法的目的是()。

考题 填空题CZ直拉法生长单晶硅是把()变为()并且()的固体硅锭。

考题 填空题单晶硅生长常用()和()两种生长方式,生长后的单晶硅被称为()。

考题 单选题那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()A 分凝B 蒸发C 坩埚污染D 损坏

考题 单选题科诺尔(ZFRL-85A)盘式车轮制动器二级保养工艺要求,检查横直拉杆作业项目检查直拉杆工序的作业步骤是()。A 检查直拉杆——检查直拉杆后端与转向节连接处球头——检查直拉杆前端与转向机连接处球头B 检查直拉杆后端与转向节连接处球头——检查直拉杆——检查直拉杆前端与转向机连接处球头C 检查直拉杆前端与转向机连接处球头——检查直拉杆——检查直拉杆后端与转向节连接处球头D 检查直拉杆后端与转向节连接处球头——检查直拉杆前端与转向机连接处球头——检查直拉杆

考题 判断题CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。A 对B 错

考题 单选题直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段?()A 6B 2C 4D 5

考题 填空题影响CZ直拉法的两个主要参数是()和()。

考题 填空题直拉法单晶生长过程包括()、()、()、()、()等步骤。

考题 填空题直拉法生长单晶硅要经过()六个阶段。

考题 问答题简述直拉法生长单晶硅的工艺过程,并说明每个步骤各自有什么作用?

考题 填空题目前,生长单晶硅的方法主要有()。