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()是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触,边缓慢旋转提拉,使结晶生长,最后得到长棒形状的单晶硅。

  • A、直拉法
  • B、铸锭法
  • C、西门子法
  • D、三氯氢硅还原法

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考题 对水提醇沉法论述中不正确的是A、是对水提液进行精制的常用方法B、加入乙醇使某些成分在醇溶液中溶解度降低析出沉淀C、药液要适当浓缩,放冷后才能加入乙醇D、边搅拌边缓慢加入乙醇E、主要用于除去药液中一些亲脂性杂质

考题 硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

考题 对水提醇沉法的论述中,不正确的是A、是对水提液进行精制的常用方法B、加入乙醇使某些成分在醇溶液中溶解度降低析出沉淀C、药液要适当浓缩,放冷后才能加入乙醇D、边搅拌边缓慢加入乙醇E、主要用于除去药液中一些亲脂性杂质

考题 最早用于制造太阳能电池的半导体材料是()。 A.单晶硅B.晶体硅C.多晶硅

考题 患者,患有慢性肺源性心脏病,因呼吸困难,行气管切开,护士为其吸痰时,正确的操作是A.动作快并上下提拉,左右旋转B.动作宜慢并上下提拉,左右旋转C.动作轻柔并向上提拉,左右旋转D.动作轻柔,由上而下,边插入边抽吸E.动作迅速,由浅到深,以保证充分吸痰

考题 患者,女性,63岁。诊断脑出血,处于昏迷状态,经口气管插管,由于病人咳嗽反射迟钝,长期卧床,痰液沉积较深,需为其进行气管内吸痰,下列方法正确的是A:动作轻柔,由外向内,边插入边抽吸 B:插管时打开负压吸引 C:动作宜慢,上下提拉,左右旋转 D:吸痰时深部向上提拉,左右旋转 E:动作迅速,由深到浅,每处至少停留5秒,以保证充分吸痰

考题 某肺心病患者因呼吸困难,行气管切开,护士为其吸痰时,正确的操作是A.动作迅速,由浅到深,以保证充分吸痰 B.动作轻柔并向上提拉,左右旋转 C.动作宜慢并上下提拉,左右旋转 D.动作轻柔,由上而下,边插入边抽吸 E.动作快并上下提拉,左右旋转

考题 关于边刮法,下列选项正确的是()。A将刮板的边、角或面与皮肤直接紧贴或隔衣,布进行有规律的旋转移动或直线往返移动的刮拭B刮拭方向呈弧线形刮拭后体表出现弧线形的痧痕,操作时刮痧板多循肌肉走行或骨骼结构特点而定C利用刮痧板的上下边缘在体表进行直线刮拭D将刮痧板的两侧长条棱边或厚边或薄边与皮肤接触并成45度进行刮拭

考题 冷却或去除部分溶剂,使溶质从溶液中结晶出来的结晶称为()。A、溶液结晶B、熔融结晶C、升华结晶D、沉淀结晶

考题 宁东光伏电站的电池组件是()材料。A、多晶硅B、单晶硅C、薄膜D、砷化钾

考题 在多晶硅薄膜制造装置中也可使用RTP,将得到的灯光用()聚光,然后缓慢地移动位置,使多晶硅薄膜再结晶化。A、凸透镜B、凹透镜C、聚光镜D、平光镜

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考题 叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。

考题 在多晶硅薄膜制造装置中可使用RTP,将得到的灯光用(),然后缓慢地移动位置,使多晶硅薄膜再结晶化。

考题 将得到的多晶硅进行溶解,做成单晶硅,其方法有()和浮游带熔融两种。

考题 在结晶系中,多晶硅电池片的厚度为()角,单晶硅电池片的厚度为()角。

考题 多晶硅表面的结晶面是多重的,因此不能像单晶硅基片那样,使用()的不同方向腐蚀的化学蚀刻方法。

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考题 问答题单晶硅与多晶硅的区别?

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