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填空题
CZ直拉法生长单晶硅是把()变为()并且()的固体硅锭。

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考题 硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

考题 c-z法生产单晶硅棒工艺中,控制位错产生的工序是()。 A.上述说法均不对B.缩颈生长与尾部生长C.等径生长D.放肩生长

考题 采用单晶硅的压阻式压力变送器采用单晶硅片为弹性元件,在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺,在单晶硅的特定方向扩散一组()电阻,并将电阻接成桥路。A、不等值B、等值C、线性值D、非线性值

考题 将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程?

考题 叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。

考题 直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段?()A、6B、2C、4D、5

考题 ()是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触,边缓慢旋转提拉,使结晶生长,最后得到长棒形状的单晶硅。A、直拉法B、铸锭法C、西门子法D、三氯氢硅还原法

考题 工业中单晶硅的制备方法主要有()和区熔法(FZ法)

考题 在单晶硅表面制作绒面时,常用的各向异性腐蚀剂有有机腐蚀剂和(),并且被腐蚀的单晶硅表面为100晶面时,可形成金字塔方椎形状,腐蚀后方椎高度一般为3~6μm。

考题 单晶硅锭的制备方法很多,目前国内外在生产中主要采用溶体直拉法和辉光放电法。

考题 下面是直拉法生产单晶硅工艺流程图正确顺序的是()。A、种晶—放肩—等径—引晶B、引晶—放肩—等径—种晶C、种晶—引晶—放肩—等径D、引晶—种晶—放肩—等径

考题 下面哪种不是单晶硅的制备方法()。A、硅带法B、区熔法C、直拉单晶法D、磁拉法

考题 如何从石英砂制取硅?说明从石英到单晶硅的工艺的简要框图正确的是()A、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长B、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长C、加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长D、加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长

考题 那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()A、分凝B、蒸发C、坩埚污染D、损坏

考题 问答题比较硅单晶锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点?

考题 问答题单晶硅与多晶硅的区别?

考题 填空题CZ直拉法的目的是()。

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考题 填空题单晶硅生长常用()和()两种生长方式,生长后的单晶硅被称为()。

考题 问答题什么是单晶硅?

考题 单选题那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()A 分凝B 蒸发C 坩埚污染D 损坏

考题 单选题直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段?()A 6B 2C 4D 5

考题 填空题影响CZ直拉法的两个主要参数是()和()。

考题 判断题85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。A 对B 错

考题 填空题直拉法生长单晶硅要经过()六个阶段。

考题 问答题简述直拉法生长单晶硅的工艺过程,并说明每个步骤各自有什么作用?

考题 填空题目前,生长单晶硅的方法主要有()。