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在单晶硅表面制作绒面时，常用的各向异性腐蚀剂有有机腐蚀剂和（），并且被腐蚀的单晶硅表面为100晶面时，可形成金字塔方椎形状，腐蚀后方椎高度一般为3～6μm。
参考答案
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考题
单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）A、表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜B、表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极C、表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极D、表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极
考题
关于食管腐蚀伤的叙述，下列哪几项是错误的？（）A、食管腐蚀伤的病变程度与腐蚀剂的性质、浓度有关，而与停留的时间无关B、碱性腐蚀剂穿透能力不强，易向深层发展C、酸性腐蚀剂穿透能力强，易向深层发展D、碱性腐蚀剂不具备脂肪皂化、蛋白质溶解作用，所以不易引起组织液化、坏死E、浓度越高的酸性腐蚀剂，越不易损伤食管粘膜
考题
关于食管腐蚀伤急性期中和剂的应用，不正确的是（）。A、应在伤后立即服用B、对于碱性腐蚀剂，可用食醋中和C、对于碱性腐蚀剂，可用橘汁或柠檬汁中和D、对于酸性腐蚀剂，可用苏打水中和E、对于酸性腐蚀剂，可用氢氧化铝凝胶中和
考题
填空题湿法腐蚀Si所用溶液有（）、（）等，腐蚀SiO2常用的腐蚀剂是（），腐蚀Si3N4常用的腐蚀剂是（）。
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