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填空题
直拉法单晶生长过程包括（）、（）、（）、（）、（）等步骤。
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考题
硅提纯及制备工艺流程正确的是()。
A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅
考题
下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）A、加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长B、加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长C、加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长D、加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长
考题
京华（6180D2、D3）前轮元丰盘式制动器一级保养工艺要求，直拉杆作业项目，检查直拉杆工序的作业步骤不包括（）。A、检紧转向节横、直拉杆臂连接螺母B、检查直拉杆C、检查直拉杆后端与转向节连接处球头D、检查直拉杆前端与转向机连接处球头
考题
单选题硅片制备主要工艺流程是（）A
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B
单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C
单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
考题
单选题下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）A
加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长B
加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长C
加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长D
加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长
考题
单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）A
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B
单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
考题
问答题简述直拉法生长单晶硅的工艺过程，并说明每个步骤各自有什么作用？
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