网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是()

  • A、加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长
  • B、加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长
  • C、加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长
  • D、加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长

参考答案

更多 “下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是()A、加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长B、加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长C、加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长D、加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长” 相关考题
考题 磁铁矿、萤石、石英和磷灰石的从大到小硬度排列顺序为()。 A、磁铁矿>萤石>磷灰石>石英B、石英>磁铁矿>磷灰石>萤石C、石英>萤石>磁铁矿>磷灰石D、磁铁矿>石英>磷灰石>萤石

考题 下列选项中对“丝绸之路经济带”的描述正确的是()A、以点带面B、从线到片C、将惠及西亚和南非地区D、目的是要形成区域大合作

考题 下列对岩石的描述中,顺序错误的是()。 A、浅灰色厚层状中粒石英砂岩B、浅灰色中粒石英砂岩C、浅灰色厚层状中粒砂岩D、中粒浅灰色石英砂岩

考题 下列对岩石的描述中,顺序正确的是()。 A、石英浅灰色厚层状中粒砂岩B、浅灰色中粒厚层状石英砂岩C、浅灰色厚层状中粒石英砂岩D、厚层状中粒浅灰色石英砂岩

考题 硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

考题 以下选项不属于“企业家政府”模式中的基本原则的是() A.从划桨到掌舵B.从服务到授权C.从分权到集权D.从垄断到竞争

考题 下列选项中属于次生矿物( )。A.石英 B.长石 C.云母 D.高岭石

考题 下列选项中属于沉积岩的有( )。A:石灰岩 B:花岗岩 C:页岩 D:石英岩 E:泥岩

考题 下列选项中不符合化学学科发展特征的是(  )。A、从宏观到微观 B、从定性到定量 C、从描述到推理 D、从原子到原子核

考题 下列选项中不符合化学学科发展特征的是( )。A.从宏观到微观 B.从定性到定量 C.从描述到推理 D.从原子到原子核

考题 单晶硅电池的实验室效率已经从20世纪50年代的6%提高到目前的()。

考题 将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程?

考题 叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。

考题 下列选项中,粉砂岩中不常见的是()。A、石英B、白云母C、岩屑D、重矿物

考题 电子排版中,从原稿到成品的基本工艺流程为文字录入、组版编排、打印输出。

考题 下列选项中,正确的纺丝工艺流程是()。A、纺丝箱体——针形阀——计量泵

考题 下列选项中属于岩石非骨架成分的是()。A、方解石、白云石等造岩矿物B、石英C、泥质D、隙流体

考题 请写出从原稿到形成印张的工艺流程。

考题 如何从石英砂制取硅?说明从石英到单晶硅的工艺的简要框图正确的是()A、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长B、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长C、加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长D、加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长

考题 除盐系统阴阳床中石英砂垫层从底部向上的排列顺序为()A、由粗到细B、由细到粗C、由粗到细再到粗D、由细到粗再到细

考题 问答题请写出从原稿到形成印张的工艺流程。

考题 单选题下列对岩石的描述中,顺序正确的是()。A 石英浅灰色厚层状中粒砂岩B 浅灰色中粒厚层状石英砂岩C 浅灰色厚层状中粒石英砂岩D 厚层状中粒浅灰色石英砂岩

考题 单选题下列对岩石的描述中,顺序错误的是()。A 浅灰色厚层状中粒石英砂岩B 浅灰色中粒石英砂岩C 浅灰色厚层状中粒砂岩D 中粒浅灰色石英砂岩

考题 问答题将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程?

考题 单选题下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是()A 加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长B 加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长C 加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长D 加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长

考题 单选题如何从石英砂制取硅?说明从石英到单晶硅的工艺的简要框图正确的是()A 加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长B 加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长C 加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长D 加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长

考题 填空题单晶硅电池的实验室效率已经从20世纪50年代的6%提高到目前的()。