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晶体生长有不同的方法,以下不是熔体法生长的是()。

A、直拉法

B、布里奇曼法

C、区熔法

D、真空蒸发法


参考答案

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考题 熔体结晶化过程包括 、晶体生长两个过程。

考题 4、根据渗入元素的介质所处的状态不同,化学热处理方法主要可分为以下几类:固体法, 液体法,气体法和等离子体法。

考题 晶核生成速率与晶体生长速率的极大值所处的温度相差越小,熔体越容易形成玻璃。

考题 晶面上出现的多边形层是A.两种单形的晶面交替生长形成B.晶体生长是晶面上的缺陷形成C.晶体生长时的生长层台阶形成D.晶体生长受内部解理影响形成

考题 晶面上出现的螺纹反映A.晶体生长的溶液过饱和度较低B.晶体生长时温度较高C.晶体生长的溶液过饱和度较高D.晶体生长环境不稳定

考题 熔体的冷却析晶相变,主要通过成核、晶体生长等二个过程来实现,成核速率和晶体生长速率都与过冷度⊿T 有关,只有在一定的过冷度下才能有最大的成核和生长速率。与晶体生长速率曲线的峰值相比,成核速率曲线的峰值一般位于()。A.较大过冷度⊿T 处B.较小过冷度⊿T 处C.同一过冷度⊿T 处D.不能确定

考题 当熔体从Tm冷却时,黏度随之减小,成核和晶体生长的阻力减小。

考题 溶液法可以生长出熔体法难以制备的大块晶体。

考题 在熔体析晶的过程中,为获得尺寸、数量合适的晶粒,需严格控制过冷度,为获得尺寸大而数量少的晶粒,在控制过冷度时,需使析晶温度控制在()。A.晶体生长速率较大而成核速率相对较小处B.成核速率较小且晶体生长速率较小处C.晶体生长速率较小而成核速率较大处D.成核速率较大且晶体生长速率较大处