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问答题
Power MOSFET和GTR哪个易于并联,为什么?

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考题 IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。 A、GTMB、GTNC、GTOD、GTR

考题 IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO

考题 试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。

考题 IGBT是ー个复合型的器件,它是()。 A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0

考题 电力MOSFET通态电阻具有(),并联使用具有电流自动均衡能力,易于并联。A、电导调制效应B、正的温度系数C、负的温度系数D、擎住效应

考题 与GTR相比MOSFET的优点有:开关速度快、损耗低、驱动功率小和()等优点。

考题 UPS常用的电力电子器件有:()A、GTR;B、MOSFET;C、IGBT;D、SCR

考题 IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

考题 功率MOSFET可多个管子并联工作,具有()能力。

考题 说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。

考题 从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。

考题 Power MOSFET和GTR哪个易于并联,为什么?

考题 在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是(),单管输出功率最大的是(),应用最为广泛的是()。

考题 IGBT是一个复合型的器件,它是()。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO

考题 试解释为什么GTR有二次击穿现象,而Power MOSFET没有。

考题 双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。

考题 试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

考题 填空题在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是(),单管输出功率最大的是(),应用最为广泛的是()。

考题 填空题电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

考题 判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。A 对B 错

考题 问答题说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。

考题 单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中,哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件()。A GTO和GTR;B TRIAC和IGBT;C MOSFET和IGBT;D SCR和MOSFET;

考题 问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

考题 问答题GTR、P-MOSFET、IGBT使用中,电流定额选择中各要注意什么?

考题 填空题与GTR相比MOSFET的优点有:开关速度快、损耗低、驱动功率小和()等优点。

考题 问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象,而Power MOSFET没有。

考题 问答题从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。