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什么是施主杂质和受主杂质？什么是施主能级和受主能级？

参考答案和解析
禁带中，但接近满带顶
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考题 N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中 B.导带中 C.禁带中，但接近满带顶 D.禁带中，但接近导带底
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考题 PN结空间电荷区是（）。A、电子和空穴构成；B、正电荷和负电荷构成；C、施主离子；D、施主杂质原子和受主杂质原子构成。
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考题 半导体硅常用的受主杂质是（）。A、锡B、硫C、硼D、磷
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考题 下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。A、硼B、锡C、锑D、磷E、砷
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考题 表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；A、施主态B、受主态C、电中性
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考题 主成分、杂质成分和添加成分各自起到的作用是什么？
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考题 对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A、非本征B、本征
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考题 p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
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考题 填空题施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的（）型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的（）型半导体。
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考题 单选题如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。A 施主B 受主C 复合中心D 两性杂质
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考题 填空题施主能级和导带底之间的能量差，称为（）。
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考题 填空题SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。
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考题 问答题施主杂质和受主杂质的含义是什么？
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考题 单选题对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A 非本征B 本征
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考题 单选题施主杂质和受主杂质之间有相互抵消作用，通常称为（）A 杂质电离B 杂质补偿C 载流子复合D 载流子迁移
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考题 问答题若P型硅中掺入受主杂质，EF是升高还是降低？若n型硅中掺入受主杂质，EF是升高还是降低？
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考题 单选题表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；A 施主态B 受主态C 电中性
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考题 名词解释题受主能级
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考题 问答题什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
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考题 名词解释题半导体施主能级
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考题 单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 单选题对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶
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考题 问答题以在Ge半导体掺入As为例，简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近？
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考题 问答题试描述施主与受主的电离过程。
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考题 填空题（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。
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考题 单选题掺有杂质的半导体在光照下，中性施主的束缚电子可以吸收光子而跃迁到导带，同样，中性受主的束缚空穴可以吸收光子而跃迁到价带，这种吸收称为（）A 本征吸收B 杂质吸收C 激子吸收D 晶格吸收
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考题 单选题电子亲和势，是指电子从（）到真空能级的能级差。A 导带底能级B 价带顶能级C 费米能级D 施主能级
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考题 问答题举例说明什么是受主杂质，什么是p型半导体？
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