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场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD( )。
A.很大
B.随VDS变化
C.较小
D.等于0
参考答案
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考题
9、VDS增大引起的沟道长度调制效应A．必出现在饱和区B．表现为源极与夹断点之间的长度变短C．对沟道内电流iD有控制作用，使得其略有增大D．必出现在变阻区E．表现为源极与夹断点之间的长度变长F．对沟道内电流iD有控制作用，使得其略减小
考题
25、MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而略有增大，是由于什么原因引起的：（）。A．基区宽度调变效应B．漏区静电场对沟道的反馈C．有效沟道调制效应D．阈电压的短沟道效应
考题
1、有关场效应管，以下说法错误的是（）A．场效应管主要靠导电沟道中的多数载流子实现导电B．在恒流区，漏极电流基本不受漏源极电压的控制C．在恒流区，场效应管的漏极电流和栅源极电压之间是平方率关系D．发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小
考题
1、MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而略有增大，是由于什么原因引起的：（）。A．基区宽度调变效应B．漏区静电场对沟道的反馈C．有效沟道调制效应D．阈电压的短沟道效应
考题
5、7. 下面关于JFET的描述，错误的是_________。A．沟道夹断前，iD与vDS呈近似线性关系B．沟道夹断前，iD主要受vGS影响C．沟道夹断后，vDS增大，夹断长度增加D．沟道夹断后，iD趋于饱和
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