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对于场效应管工作时,当导电沟道出现预夹断,漏极电流为零。


参考答案和解析
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更多 “对于场效应管工作时,当导电沟道出现预夹断,漏极电流为零。” 相关考题
考题 场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

考题 场效应管的沟道完全夹断后,其漏极电流iD( )。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0

考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零

考题 电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。

考题 场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流

考题 当线路出现不对称断相时,由于负荷电流的影响,将出现零序电流。当断相点纵向零序阻抗大于纵向正序阻抗时,单相断相零序电流小于两相断相时的零序。() 此题为判断题(对,错)。

考题 当线路出现不对称断相时,对于零序电流描述不正确的是()。A、有B、没有C、基本为零D、可能没有

考题 由两个N区夹着一个P区,漏极电流是由P区中空穴形成的这种结构的管子,我们称其为N型沟道场效应管。

考题 在场效应管中,沟通被夹断时的漏源电压叫夹断电压。

考题 场效应管中,夹断电压表示漏极电流为()时的栅源电压。

考题 结型场效应管利用删源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。A、反偏电压B、反向电流C、正偏电压D、正向电流

考题 结型场效应管的基本工作原理是()A、改变导电沟道中的载流子浓度B、改变导电沟道中的横截面积C、改变导电沟道中的有效长度D、改变导电沟道中的体积

考题 耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。

考题 场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的()A、A恒流区B、B可变电阻区C、C夹断区D、D击穿区

考题 当uGS=0时,漏源间存在导电沟道的称为()型场效应管;漏源间不存在导电沟道的称为()型场效应管。

考题 使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为(夹断)电压,N沟道JFET的UGS(off)()0,P沟道JFET的UGS(off)()0。

考题 当栅源电压等于零时,增强型FET()导电沟道,结型FET的沟道电阻()。

考题 场效应管是通过()改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压

考题 根据栅—源电压为零时,导电沟道是否存在,将场效应管分为()和耗尽型。

考题 场效应管从结构上可分为两大类:()、MOS;根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种:耗尽型、()。

考题 场效应管工作在饱和区时,其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈()关系。

考题 下列场效应管中,无原始导电沟道的为()。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管

考题 在绝缘栅型场效应管中,漏极电流是受栅压控制的,它是利用()A、体内场效应而工作的B、表面场效应而工作的C、载流子导电而工作的

考题 单选题结型场效应管利用栅源极间所加的()来改变导电沟道电阻。A 反偏电压B 反向电流C 正偏电压D 正向电流

考题 填空题在长沟道MOSFET中,漏极电流的饱和是由于(),而在短沟道MOSFET中,漏极电流的饱和则是由于()。

考题 单选题场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的()A A恒流区B B可变电阻区C C夹断区D D击穿区

考题 单选题当NMOS器件工作在饱和区时,沟道出于()状态。A 积累B 耗尽C 导通D 夹断

考题 单选题场效应管是以()控制漏极电流ID。A UDGB UDSC UGSD IGS