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电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。

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考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
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考题 当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。A．N沟道耗尽型B．N沟道增强型C．P沟道耗尽型D．P沟道增强型
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考题 34、MOS晶体管漏源之间能够导电的前提，是存在导电沟道。如果导电沟道夹断，则无法导电，漏源电流IDS为零。
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考题 MOS场效应管按导电沟道可以分为n沟道器件和p沟道器件，按栅电压为零时是否形成反型层导电沟道可以分为增强型和耗尽型。
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考题 11、当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流A．P沟道耗尽型B．P沟道增强型C．N沟道耗尽型D．N沟道增强型
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考题 8、当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。A．N沟道耗尽型B．N沟道增强型C．P沟道耗尽型D．P沟道增强型
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考题 6、当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。A．N沟道耗尽型B．N沟道增强型C．P沟道耗尽型D．P沟道增强型
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