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16、引起MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而增大的原因是（）和漏区静电场对沟道的反馈作用。
参考答案和解析
B
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考题
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
考题
A.截止区IB≤0，饱和区IC不随，IB的增大或减小而变化，放大区IC随IB的控制而变化
B.截止区IB≈0，饱和区IC随IB的增大或减小而变化，放大区IC随IB的控制而变化
C.截止区IB≤0，饱和区IB随IC的增大或减小而变化，放大区IC随IB的控制而变化
D.截止区IB≤0，饱和区IC随IB的增大或减小而变化，放大区IB随IC的控制而变化
考题
MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的（）、前者的饱和区对应后者的（）、前者的非饱和区对应后者的（）。
考题
填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。
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