考题
随着温度的升高,三极管的参数:()
A、反向饱和电流增大B、电流放大系数增大C、同基极电流下、UBE值减小D、反向饱和电流减小E、电流放大系数减小F、UBE值不变
考题
场效应管的工作原理是()
A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
考题
晶体管的反向饱和电流Icbo是指发射极e开路时( )之间的反向饱和电流。A.e极和b极B.e极和c极C.c极和b极D.b极和f极
考题
三极管集电极反向饱和电流Icbo和集--射极穿透电流Iceo之间的关系为（）AIceo=IcboBIceo=（β+1）IcboCIceo=βIcbo
考题
当环境温度升高时，半导体三极管的反向饱和电流Iabo将会（）。A、增大B、减小C、不变D、反向
考题
晶体二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）
考题
二极管的反向饱和电流是衡量二极管质量优劣的重要参数，其值越小，二极管的质量越好。（）
考题
（）是衡量二极管质量优劣的重要参数，值越小，质量越好。A、正向电流B、反向饱和电流C、反向电流D、反向饱和电流
考题
晶体管的反向饱和电流是指发射极e开路时（）极之间的反向饱和电流。A、e和bB、e和cC、c和bD、b和f
考题
三极管的反向饱和电流Icbo，是指发射极e开路时，（）极之间的反向电流。A、e与bB、e与cC、c与bD、b与f
考题
三极管的穿透电流ICEO是集-基反向饱和电流的（）倍.A、aB、1+βC、β
考题
二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（）A、10μAB、15μAC、20μAD、40μA
考题
当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（），正向压降将（）。
考题
温度升高，对二极管的各种参数将发生影响，其中反向饱和电流将（）
考题
当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。A、增大B、不变C、减小
考题
在相同温度下，硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的（）
考题
场效应管共漏极放大电路的信号是从（）A、栅极输入，漏极输出B、源极输入，漏极输出C、栅极输入，源极输出D、漏极输入，源极输出
考题
当温度升高时，晶体二极管的反向饱和电流将（）。A、增大B、减小C、不变D、不能确定
考题
三极管集电极反向饱和电流Icbo和集--射极穿透电流Iceo之间的关系为（）A、Iceo=IcboB、Iceo=（β+1）IcboC、Iceo=βIcbo
考题
由二极管的特性曲线可以看出，当二极管的反向电压增加时，反向饱和电流（）A、增加B、基本不变C、减少
考题
单选题二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（）A
10μAB
15μAC
20μAD
40μA
考题
判断题晶体三极管的饱和电流越小越好。A
对B
错
考题
判断题二极管的反向饱和电流随温度的上升而减小。A
对B
错
