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1、MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而略有增大，是由于什么原因引起的：（）。

A．基区宽度调变效应

B．漏区静电场对沟道的反馈

C．有效沟道调制效应

D．阈电压的短沟道效应

参考答案和解析
漏区静电场对沟道的反馈;有效沟道调制效应
更多 “1、MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而略有增大，是由于什么原因引起的：（）。A．基区宽度调变效应B．漏区静电场对沟道的反馈C．有效沟道调制效应D．阈电压的短沟道效应” 相关考题
考题 场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD( )。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0
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考题 功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
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考题 A.截止区IB≤0，饱和区IC不随，IB的增大或减小而变化，放大区IC随IB的控制而变化 B.截止区IB≈0，饱和区IC随IB的增大或减小而变化，放大区IC随IB的控制而变化 C.截止区IB≤0，饱和区IB随IC的增大或减小而变化，放大区IC随IB的控制而变化 D.截止区IB≤0，饱和区IC随IB的增大或减小而变化，放大区IB随IC的控制而变化
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考题 静态工作点稳定的放大回路中，当温度升高时，集电极静态（），造成静态工作点上移，靠近饱和区，容易引起饱和失真。A、电流降低B、电压降低C、电流增大D、电压增大
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考题 单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变大，RB2则与发射极电流无关。
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考题 在晶体二极管的反向截止区、反向电流随反向电压的增大而迅速增大。（）
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考题 PIN光电二极管的响应度随入射光波长的增大而（　）。A、减小B、增大C、趋于饱和D、趋于截止
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考题 饱和蒸汽溶解携带的特点是（）。A、有选择性B、随锅炉压力增大而减小C、随锅炉压力增大而增大D、饱和蒸汽不能溶解盐类
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考题 饱和蒸汽对硅酸的溶解携带量与饱和蒸汽的压力之间的关系为（）A、无关B、随压力增大而增大C、随压力增大而减小D、不确定
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考题 晶体三极管的电流放大系数随温度升高而增大。
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考题 电容滤波电路输出电压叽随输出电流Id增加而（），而且脉动加大。 A、增大B、一样C、减小
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考题 光敏三极管的主要特点是（）A、集电极与发射极间阻抗随光照强度增大而降低B、集电极与发射极间电流随光照强度增大而降低C、集电极与发射极间电压随光照强度增大而增加D、集电极与发射极间阻抗随光照强度增大而增加
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考题 场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈（）关系。
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考题 场效应管的漏极电流ID从1A增加到3A，它的跨导将（）。A、增大B、减小C、不变
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考题 硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（）。A、减小B、基本不变C、增大
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考题 场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
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考题 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
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考题 当场效应管被预夹断后，ID将随VDS的增大而（）A、增大B、减小C、不变D、略微增大
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考题 当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。A、增大B、不变C、减小
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考题 电焊变压器的输出电压随负载电流的增大而略有增大
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考题 晶闸管具有阳极电流随控制极电流增大而按比例增大的特性。
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考题 对于双侧电源系统，由于故障时两侧电流的相位不同，如果故障点的短路电流Id超前流过保护的电流Id1，则保护的（）。A、测量阻抗减小B、测量阻抗不变C、测量阻抗增大D、测量阻抗增大或减小
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考题 填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
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考题 单选题PIN光电二极管的响应度随入射光波长的增大而（　）。A 减小B 增大C 趋于饱和D 趋于截止
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考题 判断题对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。A 对B 错
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考题 多选题功率MOSFET的极限参数指的是（）。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压
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考题 单选题三极管工作于饱和状态时，它的集电极电流将（）。A 随基极电流的增大而增大B 随基极电流的增大而减小C 与基极电流变化无关D 以上都不对
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考题 填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
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