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单选题
1950年美国人提出的PFM修复体,由下列哪项材料烧结而成?(  )
A

高熔瓷粉与镍铬合金

B

低熔瓷粉与金合金

C

低熔瓷粉与中熔合金

D

中熔瓷粉与镍铬合金

E

中熔瓷粉与金合金


参考答案

参考解析
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考题 造成PFM修复体崩瓷现象的原因中不包括A、咬合早接触B、金属基底表面污染C、金瓷材料热膨胀系数不匹配D、应力集中E、粘结剂厚度

考题 在真空炉内烧结而成PFM修复体的是A、高熔瓷粉与镍铬合金B、中熔瓷粉与烤瓷合金C、低熔瓷粉与中熔合金D、低熔瓷粉与烤瓷金合金E、低熔瓷粉与金合金

考题 在真空炉内烧结而成的PFM修复体的原材料是A、高熔瓷粉与镍铬合金B、中熔瓷粉与烤瓷合金C、低熔瓷粉与中熔合金D、低熔瓷粉与烤瓷合金E、低熔瓷粉与金合金

考题 PFM修复体是由下列哪一项在真空炉内烧结而成的修复体A、高熔瓷粉与镍铬合金B、低熔瓷粉与中熔合金C、中熔瓷粉与金合金D、低熔瓷粉与金合金E、中熔瓷粉与镍铬合金

考题 PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6~8℃C、低于体瓷烧结温度10~20℃D、高于体瓷烧结温度6~8℃E、高于体瓷烧结温度10~20℃

考题 下列哪项为影响PFM修复体成功的关键()A.生物学性能B.金瓷结合C.色泽D.以上说法全都正确E.以上说法全都不正确

考题 PFM修复体是由下列哪一项在真空炉内烧结而成的修复体A、高熔瓷粉与镍铬合金B、中熔瓷粉与烤瓷合金C、低熔瓷粉与中熔合金D、低熔瓷粉与烤瓷金合金E、低熔瓷粉与金合金

考题 从粘接固位角度考虑,下列哪种材料制作修复体粘接固位力最强()。 A.钴铬合金PFM冠B.硅酸盐基全瓷冠C.氧化铝陶瓷冠D.氧化锆陶瓷冠

考题 下面哪项,不是影响金-瓷热膨胀系数的因素A、材料自身质量不稳定B、瓷粉的污染C、烧结次数的变化D、修复体瓷层的厚薄E、环境温度的影响

考题 1950年美国人提出的PFM修复体,由下列哪项材料烧结而成A、高熔瓷粉与镍铬合金B、低熔瓷粉与金合金C、低熔瓷粉与中熔合金D、中熔瓷粉与镍铬合金E、中熔瓷粉与金合金

考题 PFM冠体瓷烧结起始温度过低,升温速度过慢会出现A、牙冠变形B、颜色变亮C、颜色变暗D、瓷内气泡E、透明度增加

考题 造成PFM修复体崩瓷现象的原因中不包括A.咬合早接触 B.金属基底表面污染 C.金瓷材料热膨胀系数不匹配 D.应力集中 E.粘结剂厚度

考题 PFM修复体是由下列哪一项在真空炉内烧结而成的修复体A.中熔瓷粉与烤瓷合金 B.低熔瓷粉与烤瓷金合金 C.低熔瓷粉与金合金 D.高熔瓷粉与镍铬合金 E.低熔瓷粉与中熔合金

考题 美国人()的轻质结构建筑通常由球体或四面体结合而成,他曾经设想了一个用2英里大小的穹隆来覆盖纽约市中心的方案。

考题 三A法则是由美国人科尔比提出的。()

考题 烧结砖是以()等为主要材料烧制而成的实心砖。A、黏土B、矿渣C、石灰D、砂石

考题 下列哪项为影响PFM修复体成功的关键()A、生物学性能B、金瓷结合C、色泽D、以上说法全都正确E、以上说法全都不正确

考题 29岁男性患者,左上前牙不慎撞断1天,冷热刺激痛,要求修复。修复前准备完成后,下列修复体中哪种适合().A、贴面B、嵌体C、3/4冠D、铸造金属全冠E、铸造桩加PFM全冠

考题 单选题修复前准备完成后,下列修复体中哪项合适?(  )A 贴面B 嵌体C 3/4冠D 铸造金属全冠E 铸造桩加PFM全冠

考题 单选题下面哪项,不是影响金-瓷热膨胀系数的因素?(  )A 材料自身质量不稳定B 瓷粉的污染C 烧结次数的变化D 修复体瓷层的厚薄E 环境温度的影响

考题 单选题造成PFM修复体崩瓷现象的原因中不包括()A 咬合早接触B 金属基底表面污染C 金瓷材料热膨胀系数不匹配D 应力集中E 粘结剂厚度

考题 单选题以下关于金属烤瓷修复体的描述哪项是错误的?(  )A 瓷层越厚越好B 镍铬合金基底冠较金合金强度好C 体瓷要在真空中烧结D 避免多次烧结E 金属基底冠的厚度不能太薄

考题 单选题烧结砖是以()等为主要材料烧制而成的实心砖。A 黏土B 矿渣C 石灰D 砂石

考题 单选题在真空炉内烧结而成的PFM修复体的原材料是()A 高熔瓷粉与镍铬合金B 中熔瓷粉与烤瓷合金C 低熔瓷粉与中熔合金D 低熔瓷粉与烤瓷合金E 低熔瓷粉与金合全

考题 单选题下列哪项为影响PFM修复体成功的关键()A 生物学性能B 金瓷结合C 色泽D 以上说法全都正确E 以上说法全都不正确

考题 单选题若患牙腭尖崩折,缺损齐龈,颊侧牙体组织完整,患者不接受暴露金属,则可行下列哪项修复方案?(  )A 单纯PFM全冠修复B 铸造金属基底桩冠C 铸造金属桩核+PFM全冠修复D 预成树脂桩+树脂核+树脂冠E 以上都不是

考题 单选题PFM冠上釉时的炉温是(  )。A 与体瓷的烧结温度相同B 低于体瓷烧结温度6~8℃C 低于体瓷烧结温度10~20°CD 高于体瓷烧结温度6~8℃E 高于体瓷烧结温度10~20℃