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单选题
PFM冠上釉时的炉温是（　　）。
A

与体瓷的烧结温度相同

B

低于体瓷烧结温度6～8℃

C

低于体瓷烧结温度10～20°C

D

高于体瓷烧结温度6～8℃

E

高于体瓷烧结温度10～20℃

参考答案

参考解析
解析：
低于体瓷烧结温度6～8℃，以保证体瓷不变形。
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考题 前牙PFM冠堆塑牙本质瓷时，回切前的切端唇舌径厚度是A.0.1～0.2mmB.0.5mmC.0.8mmD.1.0mmE.2.0mm
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考题 PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、高于体瓷烧结温度6～8℃E、高于体瓷烧结温度10～20℃
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考题 以下关于金瓷冠的描述，错误的是A、瓷层越厚越好B、镍铬合金基底冠较金合金强度好C、避免多次烧结D、体瓷要在真空中烧结E、上釉在空气中完成
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考题 陶器是用可塑性的黏土成型，经700℃一800℃的炉温焙烧而成的无釉或上釉的日用品和陈设品． ( )
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考题 制作PFM冠桥时，构筑遮色瓷的厚度是A.0.1～0.2mmB.0.5mmC.0.8mmD.1.0mmE.2.0mm
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考题 适用于金属烤瓷冠桥基底冠上瓷、修整上釉后的焊接方法是（）A、转移焊接法B、前焊接C、后焊接D、离模焊接法E、连模焊接
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考题 陶器是用黏土成型，经（）的炉温焙烧而成的无釉或上釉的日用品和陈设品。A、400℃~500℃B、500℃~600℃C、300℃~400℃D、700℃~800℃
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考题 单选题制作PFM冠桥时，构筑遮色瓷的厚度是（　　）。A B C D E
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考题 单选题金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是（　）A 上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉B 代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉C 代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉D 代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉E 上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉
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考题 单选题陶器是用黏土成型，经( )的炉温焙烧而成的釉或上釉的日用品和陈设品。A 600-700C:B 700-800℃C 800-900CD 700-900℃
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考题 多选题陶器是用黏土成型，经（　　）的炉温焙烧而成的无釉或上釉的日用品和陈设品。A400℃～500℃B500℃～600℃C300℃～400℃D700℃～800℃
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考题 单选题（）指用粘土成型，经700℃－800℃的炉温焙烧而成的无釉或上釉的日用品和陈设品。A 陶器B 瓷器C 珐琅器
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