考题
有关电力MOSFET的说法错误的是()。
A.属于电压控制器件B.开关速度慢C.工作频率高D.无二次击穿问题
考题
绝缘栅双极晶体管是一种新型复合器件,它具有的特点是()
A、驱动功率小，工作频率低，通态压降小B、驱动功率小，工作频率高，通态压降大C、驱动功率小，工作频率高，通态压降小
考题
SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。
考题
与GTR相比MOSFET的优点有：开关速度快、损耗低、驱动功率小和（）等优点。
考题
使用功率MOSFET时要注意（）。A、防止静电击穿B、防止二次击穿C、MOSFET不能承受反压D、栅源过电压保护
考题
功率场效应晶体管特点是（）的静态内阻高，驱动功率小，撤除栅极信号后能自行关断，同时不存在二次击穿，安全工作区宽。
考题
加气机电磁阀大多选用先导式电磁阀，其特点是（）。A、驱动电压小B、驱动功率大C、驱动功率小D、启动速度快
考题
功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。
考题
功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。
考题
不属于IGBT管特点的是（）A、IGBT管为混合器件B、驱动功率容量小C、电流等级为10A—400AD、IGBT管是一种电流型器件
考题
功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）控制器件。A、电压B、电流C、功率
考题
晶闸管是一种（）器件，它具有体积小、重量轻、耐压高、效率高、容量大、使用简单和控制灵活等优点。A、大功率半导体B、小功率半导体C、大功率电阻D、小功率电阻
考题
固态继电器（简称SSR）是一种由固态半导体器件组成的新型无触点的电子开关器件。它的输入端仅要求（）的控制电流，驱动功率小，能用TTL、（）等集成电路直接驱动。
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。
考题
功率MOSFET可多个管子并联工作，具有（）能力。
考题
功率MOSFET是（）型器件。A、全控B、半控
考题
功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。A、驱动信号的前后沿陡峭B、驱动信号的电压应高于开启电压C、信号电压应低于栅源击穿电压D、截止时应加小于栅源击穿电压的电压
考题
关于二次击穿，以下说法正确的是（）。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂
考题
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。
考题
简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。
考题
电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
考题
下列器件中，会发生二次击穿现象的有（）A、GTOB、功率晶体管C、功率场效应管D、1GBT
考题
功率场效应晶体管的特点是：（）的静态内阻高，驱动功率小，撤除栅极信号后能自动关断，同时不存在二次击穿，安全工作区范围宽。
考题
单选题功率MOSFET是（）型器件。A
全控B
半控
考题
填空题与GTR相比MOSFET的优点有：开关速度快、损耗低、驱动功率小和（）等优点。
考题
填空题功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。
考题
填空题功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。
考题
单选题不属于IGBT管特点的是（）A
IGBT管为混合器件B
驱动功率容量小C
电流等级为10A—400AD
IGBT管是一种电流型器件
