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下列器件中,会发生二次击穿现象的有()

  • A、GTO
  • B、功率晶体管
  • C、功率场效应管
  • D、1GBT

参考答案

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考题 运行中的电流互感器二次开路后可能出现()的危险现象。A、一次电压指示升高B、二次电流指示为零C、噪声增大D、绝缘击穿

考题 ()手机ESD器件损坏的较多,故障现象一般为击穿A、被摔B、光照C、进水D、充电

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考题 ()存在二次击穿现象,()存在擎住现象。

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考题 试解释为什么GTR有二次击穿现象,而Power MOSFET没有。

考题 某试验站进行试品的工频耐压试验,当出现下列()情况时,可以认为耐压不合格。A、试验中无破坏性放电发生B、试品出现冒烟、出气及击穿响声现象C、在试品瓷套表面发生较强烈的表面局部放电现象,但未发生线端对地的闪络或击穿D、试品出现闪络、燃烧现象

考题 单选题电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。A 有二次击穿B 无二次击穿C 防止二次击穿D 无静电击穿

考题 填空题()存在二次击穿现象,()存在擎住现象。

考题 填空题当GTR发生的二次击穿,()

考题 填空题功率MOSFET是一种()器件,具有驱动功率小,工作速度快,无二次击穿和安全区宽等特点。

考题 问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象,而Power MOSFET没有。

考题 多选题运行中的电流互感器二次开路后可能出现()的危险现象。A一次电压指示升高B二次电流指示为零C噪声增大D绝缘击穿

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