考题
( )的英文缩写是GTR。
A、电力二极管B、门极可关断晶闸管C、电力晶体管D、电力场效应晶体管
考题
()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH
考题
IGBT有哪些缺点?( )A、开关速度不及电力MOSFETB、开关速度比电力MOSFET快C、电压、电流容量不及GTOD、电压、电流容量比GTO大
考题
GTO指的是( )。A、电力场效应晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力晶体管D、门极可关断晶闸管
考题
SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。
考题
电力场效应管MOSFET（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
考题
电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。
考题
电力场效应晶体管（MOSFET）有哪些特点？
考题
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
考题
电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
考题
下列哪项不属于典型全控型器件？（）A、电力二极管B、门极可关断晶闸管C、电力晶体管D、电力场效应晶体管
考题
电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
考题
电力场效应晶体管（电力MOSFET）适合于在（）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频
考题
绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
考题
电力MOSFET的基本特性有（）、（）和（）三种。
考题
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A
电压B
电流C
电阻D
功率
考题
单选题下列哪项不属于典型全控型器件？（）A
电力二极管B
门极可关断晶闸管C
电力晶体管D
电力场效应晶体管
考题
问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
考题
填空题电力MOSFET的基本特性有（）、（）和（）三种。
考题
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）适合于在（）条件下工作。A
直流B
低频C
中频D
高频
考题
填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
考题
判断题绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。A
对B
错
考题
单选题（）的英文缩写是GTR。A
电力二极管B
门极可关断晶闸管C
电力晶体管D
电力场效应晶体管
