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单选题
电力场效应晶体管(电力MOSFET)是理想的()控制器件。
A

电压

B

电流

C

电阻

D

功率


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 有关电力MOSFET的说法错误的是()。 A.属于电压控制器件B.开关速度慢C.工作频率高D.无二次击穿问题

考题 ()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH

考题 目前()是电力电子装置的主导器件。 A.IGBTB.SCRC.RCTD.P-MOSFET

考题 SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。

考题 ( )是将电力MOSFET与晶闸管SCR组合而成的复合型器件。 A.MCTB.SITC.SITHD.IGCT

考题 电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。

考题 电力场效应管MOSFET是理想的()控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率

考题 电力场效应管是理想的()控制型器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率

考题 电力场效应晶体管(MOSFET)有哪些特点?

考题 UPS常用的电力电子器件有:()A、GTR;B、MOSFET;C、IGBT;D、SCR

考题 UPS常用的电力电子器件有:()A、GTRB、MOSFET;C、IGBT;D、SCR

考题 电力场效应管是理想的电流控制器件。

考题 电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿

考题 下列哪项不属于典型全控型器件?()A、电力二极管B、门极可关断晶闸管C、电力晶体管D、电力场效应晶体管

考题 电力场效应晶体管(电力MOSFET)是理想的()控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率

考题 电力电子器件P-MOSFET为()器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型

考题 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

考题 电力场效应晶体管(电力MOSFET)适合于在()条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频

考题 简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

考题 电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

考题 电力场效应管(MOSFET)是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件,属于()。

考题 电力场效应晶体管是理想的()控制型器件A、电压B、电流C、电阻D、功率

考题 单选题电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。A 有二次击穿B 无二次击穿C 防止二次击穿D 无静电击穿

考题 多选题电力电子器件P-MOSFET为()器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型

考题 单选题电力场效应晶体管(电力MOSFET)适合于在()条件下工作。A 直流B 低频C 中频D 高频

考题 填空题电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

考题 填空题电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。